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1. (WO2018204916) PROCÉDÉ D'ÉLIMINATION DE SUBSTRAT
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N° de publication : WO/2018/204916 N° de la demande internationale : PCT/US2018/031393
Date de publication : 08.11.2018 Date de dépôt international : 07.05.2018
CIB :
H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 33/20 (2010.01) ,H01L 33/32 (2010.01) ,H01L 33/46 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
20
ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
26
Matériaux de la région électroluminescente
30
contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique
32
contenant de l'azote
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
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caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
46
Revêtement réfléchissant, p.ex. réflecteur de Bragg en diélectriques
Déposants :
THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 1111 Franklin Street, 12th Floor Oakland, California 94607, US
Inventeurs :
KAMIKAWA, Takeshi; US
GANDROTHULA, Srinivas; US
LI, Hongjian; US
COHEN, Daniel A.; US
Mandataire :
GATES, George H.; US
Données relatives à la priorité :
62/502,20505.05.2017US
Titre (EN) METHOD OF REMOVING A SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ D'ÉLIMINATION DE SUBSTRAT
Abrégé :
(EN) A method of removing a substrate, comprising: forming a growth restrict mask with a plurality of striped opening areas directly or indirectly upon a GaN-based substrate; and growing a plurality of semiconductor layers upon the GaN-based substrate using the growth restrict mask, such that the growth extends in a direction parallel to the striped opening areas of the growth restrict mask, and growth is stopped before the semiconductor layers coalesce, thereby resulting in island-like semiconductor layers. A device is processed for each of the island-like semiconductor layers. Etching is performed until at least a part of the growth restrict mask is exposed. The devices are then bonded to a support substrate. The GaN-based substrate is removed from the devices by a wet etching technique that at least partially dissolves the growth restrict mask. The GaN substrate that is removed then can be recycled.
(FR) L'invention concerne un procédé d'élimination de substrat, comprenant les étapes consistant à : former un masque de limitation de croissance avec une pluralité de zones d'ouverture en bande directement ou indirectement sur un substrat à base de GaN; et faire croître une pluralité de couches semi-conductrices sur le substrat à base de GaN à l'aide du masque de limitation de croissance, de telle sorte que la croissance s'étend dans une direction parallèle aux zones d'ouverture en bande du masque de limitation de croissance, et la croissance est arrêtée avant la coalescence des couches semi-conductrices, ce qui permet d'obtenir des couches semi-conductrices de type îlot. Un dispositif est traité pour chacune des couches semi-conductrices de type îlot. La gravure est effectuée jusqu'à ce qu'au moins une partie du masque de limitation de croissance soit exposée. Les dispositifs sont ensuite liés à un substrat de support. Le substrat à base de GaN est retiré des dispositifs par une technique de gravure humide qui dissout au moins partiellement le masque de limitation de croissance. Le substrat de GaN qui est retiré peut ensuite être recyclé.
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Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)