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1. (WO2018204831) PROCÉDÉS DE FABRICATION DE GELS D'OXYDE DE GRAPHÈNE
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N° de publication : WO/2018/204831 N° de la demande internationale : PCT/US2018/031162
Date de publication : 08.11.2018 Date de dépôt international : 04.05.2018
CIB :
H01G 11/32 (2013.01) ,H01M 4/133 (2010.01) ,C01B 32/182 (2017.01) ,C01B 32/192 (2017.01) ,C01B 32/198 (2017.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
G
CONDENSATEURS; CONDENSATEURS, REDRESSEURS, DÉTECTEURS, DISPOSITIFS DE COMMUTATION, DISPOSITIFS PHOTOSENSIBLES OU SENSIBLES À LA TEMPÉRATURE, DU TYPE ÉLECTROLYTIQUE
11
Condensateurs hybrides, c. à d. ayant des électrodes positive et négative différentes; Condensateurs électriques à double couche [EDL]; Procédés de fabrication desdits condensateurs ou de leurs composants
22
Électrodes
30
caractérisées par leur matériau
32
à base de carbone
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
M
PROCÉDÉS OU MOYENS POUR LA CONVERSION DIRECTE DE L'ÉNERGIE CHIMIQUE EN ÉNERGIE ÉLECTRIQUE, p.ex. BATTERIES
4
Electrodes
02
Electrodes composées d'un ou comprenant un matériau actif
13
Électrodes pour accumulateurs à électrolyte non aqueux, p.ex. pour accumulateurs au lithium; Leurs procédés de fabrication
133
Électrodes à base de matériau carboné, p.ex. composés d'intercalation du graphite ou CFx
[IPC code unknown for C01B 32/182][IPC code unknown for C01B 32/192][IPC code unknown for C01B 32/198]
Déposants :
SIGMA-ALDRICH CO. LLC [US/US]; 3050 Spruce Street St. Louis, MO 63103, US
Inventeurs :
LUEDTKE, Avery; US
Mandataire :
FROST, Kristin, J.; US
SODEY, Benjamin, J.; US
HUBBARD, John, Dana; US
KASTEN, Daniel; US
Données relatives à la priorité :
62/502,32005.05.2017US
Titre (EN) METHODS FOR MAKING GRAPHENE OXIDE GELS
(FR) PROCÉDÉS DE FABRICATION DE GELS D'OXYDE DE GRAPHÈNE
Abrégé :
(EN) Methods for reversibly forming graphene oxide gels by reacting graphene oxide dispersed in an aqueous solution with organic amines or quaternary phosphonium salts. Also provided are methods of forming anhydrous graphene oxide dispersions.
(FR) L'invention concerne des procédés de formation réversible de gels d'oxyde de graphène par réaction d'oxyde de graphène dispersé dans une solution aqueuse avec des amines organiques ou des sels de phosphonium quaternaire. L'invention concerne également des procédés de formation de dispersions d'oxyde de graphène anhydre.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)