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1. (WO2018204576) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE DISTRIBUTION THERMIQUE UNIFORME DANS UNE CAVITÉ MICRO-ONDES PENDANT UN TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEURS
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N° de publication : WO/2018/204576 N° de la demande internationale : PCT/US2018/030787
Date de publication : 08.11.2018 Date de dépôt international : 03.05.2018
CIB :
H01L 21/67 (2006.01) ,H01L 21/324 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
324
Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p.ex. recuit, frittage
Déposants :
APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054, US
Inventeurs :
RAO, Preetham; SG
IVANOV, Dennis; RU
JUPUDI, Ananthkrishna; SG
OW, Yueh Sheng; SG
Mandataire :
LINARDAKIS, Leonard P.; US
TABOADA, Alan; US
MOSER,, Raymond, R.; US
Données relatives à la priorité :
15/966,21130.04.2018US
62/500,60903.05.2017US
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR UNIFORM THERMAL DISTRIBUTION IN A MICROWAVE CAVITY DURING SEMICONDUCTOR PROCESSING
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE DISTRIBUTION THERMIQUE UNIFORME DANS UNE CAVITÉ MICRO-ONDES PENDANT UN TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé :
(EN) Methods and apparatus for uniform thermal distribution across semiconductor batches are provided herein. According to one embodiment, a microwave oven for semiconductor processing, comprising a thermal housing having a cavity and a plurality of input ports, a power source configured to provide a microwave signal to the cavity of the thermal housing via the plurality of input ports, a phase shifter disposed between the power source and the input ports, wherein the phase shifter is configured to vary a phase difference between two or more signals provided to it; and a controller communicatively coupled to the phase shifter and configured to control the phase difference between the two or more signals.
(FR) L'invention concerne des procédés et un appareil pour une distribution thermique uniforme à travers des lots de semi-conducteurs. Selon un mode de réalisation, l'invention concerne un four à micro-ondes pour un traitement de semi-conducteurs, comprenant un boîtier thermique ayant une cavité et une pluralité de ports d'entrée, un bloc d'alimentation configuré pour fournir un signal hyperfréquence à la cavité du boîtier thermique par l'intermédiaire de la pluralité de ports d'entrée, un déphaseur disposé entre le bloc d'alimentation et les ports d'entrée, le déphaseur étant configuré pour faire varier une différence de phase entre deux signaux ou plus qui lui sont fournis ; et un dispositif de commande couplé en communication au déphaseur et configuré pour commander la différence de phase entre les deux signaux ou plus.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)