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1. (WO2018204555) USINAGE LASER DE SURFACES DE CONTACT DE PLAQUES SEMI-CONDUCTRICES
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N° de publication : WO/2018/204555 N° de la demande internationale : PCT/US2018/030748
Date de publication : 08.11.2018 Date de dépôt international : 02.05.2018
CIB :
B23K 26/384 (2014.01) ,B23K 26/16 (2006.01) ,B23K 26/38 (2014.01)
[IPC code unknown for B23K 26/384]
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
23
MACHINES-OUTILS; TRAVAIL DES MÉTAUX NON PRÉVU AILLEURS
K
BRASAGE OU DÉBRASAGE; SOUDAGE; REVÊTEMENT OU PLACAGE PAR BRASAGE OU SOUDAGE; DÉCOUPAGE PAR CHAUFFAGE LOCALISÉ, p.ex. DÉCOUPAGE AU CHALUMEAU; TRAVAIL PAR RAYON LASER
26
Travail par rayon laser, p.ex. soudage, découpage, perçage
16
Enlèvement des résidus, p.ex. des particules ou des vapeurs produites pendant l'opération
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
23
MACHINES-OUTILS; TRAVAIL DES MÉTAUX NON PRÉVU AILLEURS
K
BRASAGE OU DÉBRASAGE; SOUDAGE; REVÊTEMENT OU PLACAGE PAR BRASAGE OU SOUDAGE; DÉCOUPAGE PAR CHAUFFAGE LOCALISÉ, p.ex. DÉCOUPAGE AU CHALUMEAU; TRAVAIL PAR RAYON LASER
26
Travail par rayon laser, p.ex. soudage, découpage, perçage
36
Enlèvement de matière
38
par perçage ou découpage
Déposants :
M CUBED TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; Suite 8 31 Pecks Lane Newtown, CT 06470, US
Inventeurs :
GRATRIX, Edward, J.; US
AGHAJANIAN, Michael, K.; US
MASTROBATTISTO, Daniel; US
MCDANNALD, Austin Scott; US
Mandataire :
RAMBERG, Jeffrey, R.; US
Données relatives à la priorité :
62/500,48202.05.2017US
62/500,49102.05.2017US
Titre (EN) LASER MACHINING OF SEMICONDUCTOR WAFER CONTACT SURFACES
(FR) USINAGE LASER DE SURFACES DE CONTACT DE PLAQUES SEMI-CONDUCTRICES
Abrégé :
(EN) A laser texturing process modifies the surface of a semiconductor wafer-handling device so that flatness is maintained, but controlled roughness is imparted to prevent unwanted wafer sticking. The laser texturing may be from a thermal laser, a cold ablation laser, or either laser modified with an inert cover gas. The laser etches or burns away a portion or fraction of a flat surface, thereby reducing the area of contact to the semiconductor wafer and thereby reducing friction and sticking. The etched or burned-away portion is thus at a reduced, relieved or lower elevation than the unaffected portion. The laser texturing may take the form of a plurality of channels cut into the surface, or a plurality of holes. Laser machining can yield a semiconductor wafer handling device having finer detail than can be produced by other shaping techniques, with feature sizes on the order of 50 microns being achievable.
(FR) La présente invention concerne un processus de texturation au laser qui modifie la surface d'un dispositif de manipulation de plaques semi-conductrices de telle sorte que la planéité est maintenue, mais une rugosité contrôlée est conférée pour empêcher un collage indésirable des plaques. La texturation au laser peut provenir d'un laser thermique, d'un laser d'ablation à froid, ou d'un laser modifié avec un gaz de couverture inerte. Le laser grave ou brûle une partie ou une fraction d'une surface plate, réduisant ainsi la zone de contact avec la plaque semi-conductrice et réduisant ainsi le frottement et le collage. La partie gravée ou brûlée est ainsi à une élévation réduite, relâchée ou inférieure à celle de la partie non affectée. La texturation au laser peut prendre la forme d'une pluralité de canaux découpés dans la surface, ou une pluralité de trous. L'usinage au laser peut produire un dispositif de manipulation de plaques semi-conductrices ayant des détails plus fins que ceux qui peuvent être produits par d'autres techniques de mise en forme, avec des tailles de caractéristiques de l'ordre de 50 microns pouvant être obtenues.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)