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1. (WO2018204512) POLARISATION D'IMPÉDANCE D'ENTRÉE
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N° de publication : WO/2018/204512 N° de la demande internationale : PCT/US2018/030684
Date de publication : 08.11.2018 Date de dépôt international : 02.05.2018
CIB :
H03F 3/185 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
F
AMPLIFICATEURS
3
Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
181
Amplificateurs à basse fréquence, p.ex. préamplificateurs à fréquence musicale
183
comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
185
comportant des dispositifs à effet de champ
Déposants :
SARAF, Vivek; US (US)
THOMSEN, Axel [DE/US]; US (US)
KUMMARAGUNTLA, Ravi [US/US]; US (US)
TUCKER, John, Christopher [US/US]; US (US)
CIRRUS LOGIC INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR LTD. [GB/GB]; Westfield House, 26 Westfield Road Edinburgh EH11 2QB, GB (AllExceptUS)
Inventeurs :
SARAF, Vivek; US
THOMSEN, Axel; US
KUMMARAGUNTLA, Ravi; US
TUCKER, John, Christopher; US
Mandataire :
SMITH, Darren; US
SHISHIMA, Gina; US
BARRETT, Michael; US
LIN, Steven; US
THOMAS, Scott; US
MCLELLAN, Peter; US
PRATI, Danny; US
Données relatives à la priorité :
15/586,02303.05.2017US
Titre (EN) INPUT IMPEDANCE BIASING
(FR) POLARISATION D'IMPÉDANCE D'ENTRÉE
Abrégé :
(EN) Input impedance biasing may be improved with an ultra-high-input-impedance biasing circuit having low temperature variation. The impedance biasing circuit may include a first transistor coupled to a first power supply and a second transistor coupled to a second power supply. A gate of the first transistor may be coupled to a gate of the second transistor at an intermediate bias node. The first transistor and the second transistor may provide a selected DC impedance at the intermediate bias node. The impedance may be used to provide low-pass and or high-pass filtering of audio signals and/or noise.
(FR) L'invention concerne la polarisation d'impédance d'entrée qui peut être améliorée avec un circuit de polarisation à impédance d'entrée ultra-élevée ayant une faible variation de température. Le circuit de polarisation d'impédance peut comprendre un premier transistor couplé à une première alimentation électrique et un deuxième transistor couplé à une deuxième alimentation électrique. Une grille du premier transistor peut être couplée à une grille du deuxième transistor au niveau d'un nœud de polarisation intermédiaire. Le premier transistor et le deuxième transistor peuvent fournir une impédance CC sélectionnée au niveau du nœud de polarisation intermédiaire. L'impédance peut être utilisée pour fournir un filtrage passe-bas et passe-haut de signaux audio et/ou de bruit.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)