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1. (WO2018204487) EMPILEMENT DE PUCES SEMI-CONDUCTRICES À GRANDE VITESSE
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N° de publication : WO/2018/204487 N° de la demande internationale : PCT/US2018/030634
Date de publication : 08.11.2018 Date de dépôt international : 02.05.2018
CIB :
H01G 4/12 (2006.01) ,H01G 4/005 (2006.01) ,H01G 4/248 (2006.01) ,H01G 4/30 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
G
CONDENSATEURS; CONDENSATEURS, REDRESSEURS, DÉTECTEURS, DISPOSITIFS DE COMMUTATION, DISPOSITIFS PHOTOSENSIBLES OU SENSIBLES À LA TEMPÉRATURE, DU TYPE ÉLECTROLYTIQUE
4
Condensateurs fixes; Procédés pour leur fabrication
002
Détails
018
Diélectriques
06
Diélectriques solides
08
Diélectriques inorganiques
12
Diélectriques céramiques
[IPC code unknown for H01G 4/05]
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
G
CONDENSATEURS; CONDENSATEURS, REDRESSEURS, DÉTECTEURS, DISPOSITIFS DE COMMUTATION, DISPOSITIFS PHOTOSENSIBLES OU SENSIBLES À LA TEMPÉRATURE, DU TYPE ÉLECTROLYTIQUE
4
Condensateurs fixes; Procédés pour leur fabrication
002
Détails
228
Bornes
248
les bornes enveloppant ou entourant l'élément capacitif, p.ex. capsules
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
G
CONDENSATEURS; CONDENSATEURS, REDRESSEURS, DÉTECTEURS, DISPOSITIFS DE COMMUTATION, DISPOSITIFS PHOTOSENSIBLES OU SENSIBLES À LA TEMPÉRATURE, DU TYPE ÉLECTROLYTIQUE
4
Condensateurs fixes; Procédés pour leur fabrication
30
Condensateurs à empilement
Déposants :
DE ROCHEMONT, L. Pierre [US/US]; US
Inventeurs :
DE ROCHEMONT, L. Pierre; US
Mandataire :
GOMES, David W.; US
CHACLAS, George N.; US
CHOW, Stephen Y.; US
CLARKE, Daniel; US
COHEN, Jerry; US
COWLES, Christopher R.; US
EMMONS, Richard B.; US
FOLEY, Shawn P.; US
GOLDMAN, Gabriel; US
SORKIN, Paul D.; US
HASAN, Shahid; US
JOBSE, Bruce D.; US
LOPEZ, Orlando; US
MARAIA, Joseph M.; US
MCGRATH, Daniel; US
MOORE, Ronda P.; US
QUINN, Joseph P.; US
SCHEPPER, Marlo; US
SERIO, John C.; US
MILLS, Steven M.; US
SUSAN, Janine M.; US
Données relatives à la priorité :
62/500,17702.05.2017US
62/582,18206.11.2017US
Titre (EN) HIGH SPEED SEMICONDUCTOR CHIP STACK
(FR) EMPILEMENT DE PUCES SEMI-CONDUCTRICES À GRANDE VITESSE
Abrégé :
(EN) The present invention ultra-low loss high energy density dielectric layers having femtosecond (10-15 sec) polarization response times within a chip stack assembly to extend impedance-matched electrical lengths and mitigate ringing within the chip stack to bring the operational clock speed of the stacked system closer to the intrinsic clock speed(s) of the semiconductor die bonded within chip stack.
(FR) Les couches diélectriques à haute densité d'énergie à faible perte selon la présente invention présentent des temps de réponse de polarisation de l'ordre de la femtoseconde (10-15 s) à l'intérieur d'un ensemble empilement de puces pour étendre des longueurs électriques adaptées à l'impédance et atténuer la sonnerie dans l'empilement de puces afin d'amener la vitesse d'horloge opérationnelle du système empilé à se rapprocher de la ou des vitesses d'horloge intrinsèques de la puce semi-conductrice liée à l'empilement de puces.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)