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1. (WO2018204464) SUIVI DE MÉMOIRE PAR L'UTILISATION D'UNE MÉMOIRE CACHE DE RECOPIE POUR REDONDANCE 1:1 DE DISPOSITIF

Pub. No.:    WO/2018/204464    International Application No.:    PCT/US2018/030599
Publication Date: Fri Nov 09 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Thu May 03 01:59:59 CEST 2018
IPC: G06F 12/0806
G05B 23/02
G06F 3/06
G06F 11/20
G06F 12/0811
Applicants: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.
Inventors: MCLAUGHLIN, Paul, F.
MASSEY, William, Russell, Jr.
DRAYTON, Gary
CHERNOGUZOV, Alexander
Title: SUIVI DE MÉMOIRE PAR L'UTILISATION D'UNE MÉMOIRE CACHE DE RECOPIE POUR REDONDANCE 1:1 DE DISPOSITIF
Abstract:
L'invention concerne un système de contrôleur de processus redondant (160) comprenant un contrôleur primaire (138a) et un contrôleur secondaire monté en parallèle (138b), qui sont chacun couplés à des actionneurs (113) et des capteurs (112) reliés à un équipement de traitement (114). Les contrôleurs primaire et secondaire comprennent une mémoire inscriptible principale (120a, 120b) comprenant un algorithme de commande de données de cache (120a3, 120b3), une unité centrale (UC) (125a, 125b) avec une mémoire cache comprenant une mémoire cache ne prenant pas en charge l'écriture immédiate, une logique de suivi (130a, 130b) couplée à une base de données de cyclec de commande dans une zone de mémoire (120a1, 120b1) faisant l'objet du suivi, et à une mémoire tampon de suivi primaire (120a2). Une liaison redondante (150) est établie entre les UC pour transmettre le suivi des modifications. L'algorithme met en œuvre un suivi de mémoire au moyen d'une recopie, comprenant les étapes suivantes : la logique de suivi primaire enregistre, à chaque cycle, le suivi des modifications dans la mémoire tampon de suivi primaire, et à la fin du cycle, transfère le suivi des modifications de la mémoire tampon de suivi primaire au contrôleur secondaire par l'intermédiaire de la liaison redondante, et enregistre le suivi des modifications dans la base de données de commande secondaire.