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1. (WO2018204017) BOBINES D'INDUCTION MULTI-PUCE D'INTERCONNEXION 3D AYANT DES NOYAUX DE TROU D'INTERCONNEXION TRAVERSANT LE SUBSTRAT
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N° de publication : WO/2018/204017 N° de la demande internationale : PCT/US2018/026269
Date de publication : 08.11.2018 Date de dépôt international : 05.04.2018
CIB :
H01L 49/02 (2006.01) ,H01L 23/48 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
49
Dispositifs à l'état solide non couverts par les groupes H01L27/-H01L47/109; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
02
Dispositifs à film mince ou à film épais
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
07
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L29/81
Déposants :
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 S. Federal Way, P.O. Box 6 Boise, ID 83707-0006, US
Inventeurs :
KIRBY, Kyle, K.; US
Mandataire :
PARKER, Paul, T.; US
ARNETT, Stephen, E.; US
ARAIZA, Alberto, G.; US
AI, Bing; US
SUMEDHA, Ahuja; US
Données relatives à la priorité :
15/584,96502.05.2017US
Titre (EN) 3D INTERCONNECT MULTI-DIE INDUCTORS WITH THROUGH-SUBSTRATE VIA CORES
(FR) BOBINES D'INDUCTION MULTI-PUCE D'INTERCONNEXION 3D AYANT DES NOYAUX DE TROU D'INTERCONNEXION TRAVERSANT LE SUBSTRAT
Abrégé :
(EN) A semiconductor device having a first die and a second die is provided. The first die of the device includes a first surface and a through-substrate via (TSV) extending at least substantially through the first die, the TSV having a portion extending past the first surface. The first die further includes a first substantially helical conductor disposed around the TSV. The second die of the device includes a second surface, an opening in the second surface in which the portion of the TSV is disposed, and a second substantially helical conductor disposed around the opening.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur ayant une première puce et une seconde puce. La première puce du dispositif comprend une première surface et un trou d'interconnexion traversant le substrat (TSV) s'étendant au moins sensiblement à travers la première puce, le TSV ayant une partie s'étendant au-delà de la première surface. La première puce comprend en outre un premier conducteur sensiblement hélicoïdal disposé autour du TSV. La seconde puce du dispositif comprend une seconde surface, une ouverture dans la seconde surface dans laquelle est disposée la partie du TSV, et un second conducteur sensiblement hélicoïdal disposé autour de l'ouverture.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)