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1. (WO2018204014) BOBINES D'INDUCTION AYANT DES NOYAUX À TROU D'INTERCONNEXION TRAVERSANT UN SUBSTRAT
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N° de publication : WO/2018/204014 N° de la demande internationale : PCT/US2018/026256
Date de publication : 08.11.2018 Date de dépôt international : 05.04.2018
CIB :
H01L 49/02 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
49
Dispositifs à l'état solide non couverts par les groupes H01L27/-H01L47/109; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
02
Dispositifs à film mince ou à film épais
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768
Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
Déposants :
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 S. Federal Way, P.O. Box 6 Boise, ID 83707-0006, US
Inventeurs :
KIRBY, Kyle, K.; US
Mandataire :
PARKER, Paul, T.; US
SUMEDHA, Ahuja; US
ARNETT, Stephen, E.; US
ARZIZA, Alberto, G.; US
AI, Bing; US
Données relatives à la priorité :
15/584,29402.05.2017US
Titre (EN) INDUCTORS WITH THROUGH-SUBSTRATE VIA CORES
(FR) BOBINES D'INDUCTION AYANT DES NOYAUX À TROU D'INTERCONNEXION TRAVERSANT UN SUBSTRAT
Abrégé :
(EN) A semiconductor device comprising a substrate is provided. The device further comprises a through-substrate via (TSV) extending into the substrate, and a substantially helical conductor disposed around the TSV. The substantially helical conductor can be configured to generate a magnetic field in the TSV in response to a current passing through the helical conductor. More than one TSV can be included, and/or more than one substantially helical conductor can be provided.
(FR) L'invention concerne un dispositif semi-conducteur comprenant un substrat. Le dispositif comprend en outre un trou d'interconnexion traversant le substrat (TSV) qui s'étend dans le substrat, et un conducteur sensiblement hélicoïdal disposé autour du TSV. Le conducteur sensiblement hélicoïdal peut être conçu pour générer un champ magnétique dans le TSV en réponse à un courant qui circule dans le conducteur hélicoïdal. Plusieurs TSV peuvent être inclus et/ou plusieurs conducteurs sensiblement hélicoïdaux peuvent être présents.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)