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1. (WO2018203984) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ULTRAVIOLETTE À JONCTION À EFFET TUNNEL

Pub. No.:    WO/2018/203984    International Application No.:    PCT/US2018/023868
Publication Date: Fri Nov 09 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Fri Mar 23 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 33/04
H01L 33/32
Applicants: X DEVELOPMENT LLC
Inventors: GRUNDMANN, Michael
SCHUBERT, Martin F.
Title: DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ULTRAVIOLETTE À JONCTION À EFFET TUNNEL
Abstract:
La présente invention vise à fournir une diode électroluminescente (DEL) qui émet une lumière ultraviolette (UV) et qui comprend une première région semi-conductrice de type n et une première région semi-conductrice de type p. La DEL comprend également une région active placée entre les premières régions semi-conductrice de type n et de type p, et en réponse à une polarisation appliquée sur la diode électroluminescente, la région active émet une lumière UV. Une jonction à effet tunnel est placée dans la DEL de telle sorte que la première région semi-conductrice de type p est placée entre la région active et la jonction à effet tunnel. La jonction à effet tunnel est électriquement couplée de manière à injecter des porteurs de charge dans la région active à travers la première région semi-conductrice de type p. Une seconde région semi-conductrice de type n est également placée dans la DEL de telle sorte que la jonction à effet tunnel est placée entre la seconde région semi-conductrice de type n et la première région semi-conductrice de type p.