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1. (WO2018203981) DISPOSITIF MICROÉLECTRONIQUE SOUS VIDE À ÉNERGIE NUCLÉAIRE
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N° de publication : WO/2018/203981 N° de la demande internationale : PCT/US2018/023453
Date de publication : 08.11.2018 Date de dépôt international : 21.03.2018
CIB :
G21C 3/40 (2006.01)
G PHYSIQUE
21
PHYSIQUE NUCLÉAIRE; TECHNIQUE NUCLÉAIRE
C
RÉACTEURS NUCLÉAIRES
3
Eléments combustibles pour réacteur ou leurs assemblages; Emploi de substances spécifiées pour utilisation comme éléments combustibles pour réacteurs
40
Combinaison structurelle d'un élément combustible avec un élément thermo-électrique pour la production directe d'énergie électrique à partir de la chaleur de fission
Déposants :
WESTINGHOUSE ELECTRIC COMPANY LLC [US/US]; 1000 Westinghouse Drive Suite 141 Cranberry Township, PA 16066, US
Inventeurs :
CARVAJAL, Jorge, V.; US
HEIBEL, Michael, D.; US
PETROSKY, Lyman, J.; US
CREDE, Tim, M.; US
FLAMMANG, Robert, W.; US
Mandataire :
SPADACENE, Joseph, C.; US
COLDREN, Richard, J.; US
CARNICELLA, Joseph, R.; US
Données relatives à la priorité :
15/583,13001.05.2017US
Titre (EN) NUCLEAR POWERED VACUUM MICROELECTRONIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF MICROÉLECTRONIQUE SOUS VIDE À ÉNERGIE NUCLÉAIRE
Abrégé :
(EN) A vacuum micro-electronics device that utilizes fissile material capable of using the existing neutron leakage from the fuel assemblies of a nuclear reactor to produce thermal energy to power the heater/cathode element of the vacuum micro-electronics device and a self-powered detector emitter to produce the voltage/current necessary to power the anode/plate terminal of the vacuum micro-electronics device.
(FR) L'invention concerne un dispositif micro-électronique sous vide qui utilise de la matière fissile capable d'utiliser la fuite de neutrons existante provenant des ensembles combustibles d'un réacteur nucléaire pour produire de l'énergie thermique permettant d'alimenter l'élément de chauffage/de cathode du dispositif micro-électronique sous vide et un émetteur détecteur auto-alimenté pour produire la tension/le courant nécessaire pour alimenter l'anode/la borne de plaque du dispositif micro-électronique sous vide.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)