Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2018203687) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/203687 N° de la demande internationale : PCT/KR2018/005151
Date de publication : 08.11.2018 Date de dépôt international : 03.05.2018
CIB :
H01L 33/10 (2010.01) ,H01L 33/58 (2010.01) ,H01L 33/22 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
10
ayant une structure réfléchissante, p.ex. réflecteur de Bragg en semi-conducteur
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
58
Éléments de mise en forme du champ optique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
20
ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
22
Surfaces irrégulières ou rugueuses, p.ex. à l'interface entre les couches épitaxiales
Déposants :
엘지이노텍 주식회사 LG INNOTEK CO., LTD. [KR/KR]; 서울시 중구 후암로 98 (남대문로5가) (Namdaemunno 5-ga) 98, Huam-ro, Jung-gu, Seoul 04637, KR
Inventeurs :
정영규 JEONG, Young Kyu; KR
김영훈 KIM, Young Hoon; KR
Mandataire :
특허법인(유)화우 YOON & YANG (IP) LLC; 서울시 강남구 테헤란로108길 11, 4층 4th Fl., 11, Teheran-ro 108-gil, Gangnam-gu, Seoul 06175, KR
Données relatives à la priorité :
10-2017-005708804.05.2017KR
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
(KO) 반도체소자
Abrégé :
(EN) A semiconductor device, according to the present invention, comprises: a substrate; a light emitting structure disposed on the substrate, the light emitting structure comprising a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer; an insulating layer disposed between a supporting member and the light emitting structure; a first reflective layer disposed between the insulating layer and the second conductive semiconductor layer; and a second reflective layer disposed between the insulating layer and the substrate, wherein the second reflective layer may be vertically overlapped with the light emitting structure between the first reflective layer and a side surface of the light emitting structure. The semiconductor device according to the present invention minimizes a light absorption region, and thus light extraction efficiency can be improved.
(FR) Un dispositif à semi-conducteur, selon la présente invention, comprend : un substrat; une structure électroluminescente disposée sur le substrat, la structure électroluminescente comprenant une première couche semi-conductrice conductrice, une seconde couche semi-conductrice conductrice, et une couche active disposée entre la première couche semi-conductrice conductrice et la seconde couche semi-conductrice conductrice; une couche d'isolation disposée entre un élément de support et la structure électroluminescente; une première couche réfléchissante disposée entre la couche d'isolation et la seconde couche semi-conductrice conductrice; et une seconde couche réfléchissante disposée entre la couche d'isolation et le substrat, la seconde couche réfléchissante pouvant être superposée verticalement avec la structure électroluminescente entre la première couche réfléchissante et une surface latérale de la structure électroluminescente. Le dispositif à semi-conducteur selon la présente invention réduit au minimum une région d'absorption de lumière, et ainsi l'efficacité d'extraction de lumière peut être améliorée.
(KO) 본 발명에 의한 반도체 소자는 기판; 상기 기판 상에 배치되며, 제1도전형반도체층, 제2도전형반도체층 및 상기 제1도전형반도체층과 상기 제2도전형반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 발광구조물; 상기 지지부재와 상기 발광구조물 사이에 배치된 절연층;상기 절연층과 상기 제2도전형반도체층 사이에 배치되는 제1반사층; 및 상기 절연층과 상기 기판 사이에 배치되는 제2반사층; 을 포함하고, 상기 제2반사층은 상기 제1반사층과 상기 발광구조물의 측면 사이에서 상기 발광구조물과 수직으로 중첩될 수 있다. 본 발명에 따른 반도체소자를 통해 광 흡수 영역을 최소화하여 광 추출 효율이 향상될 수 있다.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)