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1. (WO2018203459) ÉLÉMENT SÉLECTIF ET DISPOSITIF DE STOCKAGE
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N° de publication : WO/2018/203459 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/014717
Date de publication : 08.11.2018 Date de dépôt international : 06.04.2018
CIB :
H01L 21/8239 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 45/00 (2006.01) ,H01L 49/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232
Technologie à effet de champ
8234
Technologie MIS
8239
Structures de mémoires
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105
comprenant des composants à effet de champ
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
45
Dispositifs à l'état solide spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la production d'oscillations ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface, p.ex. triodes diélectriques; Dispositifs à effet Ovshinsky; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
49
Dispositifs à l'état solide non couverts par les groupes H01L27/-H01L47/109; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahicho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Inventeurs :
五十嵐 実 IKARASHI, Minoru; JP
曽根 威之 SONE, Takeyuki; JP
野々口 誠二 NONOGUCHI, Seiji; JP
清 宏彰 SEI, Hiroaki; JP
大場 和博 OHBA, Kazuhiro; JP
Mandataire :
特許業務法人つばさ国際特許事務所 TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION; 東京都新宿区新宿1丁目15番9号さわだビル3階 3F, Sawada Building, 15-9, Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022, JP
Données relatives à la priorité :
2017-09111301.05.2017JP
Titre (EN) SELECTIVE ELEMENT AND STORAGE DEVICE
(FR) ÉLÉMENT SÉLECTIF ET DISPOSITIF DE STOCKAGE
(JA) 選択素子および記憶装置
Abrégé :
(EN) A selective element according to one embodiment of the present disclosure is provided with: a first electrode; a second electrode disposed opposite to the first electrode; a semiconductor layer that is provided between the first electrode and the second electrode and that includes at least one chalcogen element selected from tellurium (Te), selenium (Se), and sulfur (S) and includes at least one first element selected from boron (B), aluminum (Al), gallium (Ga), phosphorus (P), arsenic (As), carbon (C), germanium (Ge), and silicon (Si); and a first heat bypass layer that has higher thermal conductivity than the semiconductor layer and that is provided on at least a part of the periphery of the semiconductor layer, between the first electrode and the second electrode.
(FR) Un élément sélectif selon un mode de réalisation de la présente invention comprend : une première électrode; une seconde électrode disposée à l'opposé de la première électrode; une couche semi-conductrice qui est disposée entre la première électrode et la seconde électrode et qui comprend au moins un élément chalcogène sélectionné parmi le tellure (Te), le sélénium (Se) et le soufre (S) et comprend au moins un premier élément choisi parmi le bore (B), l'aluminium (Al), le gallium (Ga), le phosphore (P), l'arsenic (As), le carbone (C), le germanium (Ge) et le silicium (Si); et une première couche de dérivation de chaleur qui présente une conductivité thermique supérieure à celle de la couche semi-conductrice et qui est disposée sur au moins une partie de la périphérie de la couche semi-conductrice, entre la première électrode et la seconde électrode.
(JA) 本開示の一実施形態の選択素子は、第1電極と、第1電極と対向配置された第2電極と、第1電極と第2電極との間に設けられると共に、テルル(Te)、セレン(Se)および硫黄(S)から選ばれる少なくとも1種のカルコゲン元素と、ホウ素(B)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、リン(P)、ヒ素(As)、炭素(C)、ゲルマニウム(Ge)およびケイ素(Si)から選ばれる少なくとも1種の第1元素とを含む半導体層と、第1電極と第2電極との間において、半導体層の周囲の少なくとも一部に設けられた半導体層よりも熱伝導率の高い第1の熱バイパス層とを備える。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)