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1. (WO2018201963) TRANSISTOR À COUCHES MINCES, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET SUBSTRAT DE RÉSEAU

Pub. No.:    WO/2018/201963    International Application No.:    PCT/CN2018/084627
Publication Date: Fri Nov 09 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Fri Apr 27 01:59:59 CEST 2018
IPC: H01L 29/786
H01L 29/45
Applicants: BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD.
京东方科技集团股份有限公司
Inventors: WANG, Guoying
王国英
SUN, Hongda
孙宏达
SONG, Zhen
宋振
Title: TRANSISTOR À COUCHES MINCES, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET SUBSTRAT DE RÉSEAU
Abstract:
La présente invention concerne un transistor à couches minces, comprenant une couche active (20), une électrode de source (30), une électrode de drain (40), une électrode de grille (50), et une couche d'isolation d'électrode de grille (60), la couche active (20) comprenant une zone d'électrode de source (21), une zone d'électrode de drain (22) et une zone de canal (23), la zone d'électrode de source (21) et la zone d'électrode de drain (22) comprenant un premier matériau métallique, et la zone de canal (23) comprenant un matériau semi-conducteur réalisé à partir de l'oxydation du premier matériau métallique. Le transistor à couches minces est avantageux pour réduire la résistance parasite entre l'électrode de source (30), l'électrode de drain (40) et la zone de canal (23) du transistor à couches minces.