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1. (WO2018201545) MASQUE PHOTOGRAPHIQUE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR UN SUBSTRAT DE RÉSEAU DE COMMUTATEURS ACTIFS UTILISANT CE MASQUE
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N° de publication : WO/2018/201545 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/086639
Date de publication : 08.11.2018 Date de dépôt international : 31.05.2017
CIB :
G02F 1/13 (2006.01) ,G02F 1/1362 (2006.01) ,G03F 1/00 (2012.01)
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
F
DISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1
Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source de lumière indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01
pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
13
basés sur des cristaux liquides, p.ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
F
DISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1
Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source de lumière indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01
pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
13
basés sur des cristaux liquides, p.ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides
133
Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits
136
Cellules à cristaux liquides associées structurellement avec une couche ou un substrat semi-conducteurs, p.ex. cellules faisant partie d'un circuit intégré
1362
Cellules à adressage par une matrice active
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
1
Originaux pour la production par voie photomécanique de surfaces texturées, p.ex. masques, photomasques ou réticules; Masques vierges ou pellicules à cet effet; Réceptacles spécialement adaptés à ces originaux; Leur préparation
Déposants :
惠科股份有限公司 HKC CORPORATION LIMITED [CN/CN]; 中国广东省深圳市 宝安区石岩街道水田村民营工业园惠科工业园 Huike Industrial Park Minying Industrial Park, Shuitian Country Shiyan, Bao'an District Shenzhen, Guangdong 518000, CN
重庆惠科金渝光电科技有限公司 CHONGQING HKC OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国重庆市 巴南区界石镇石景路1号 No. 1 Shijing Rd., Jieshi Town, Ba'nan District Chongqing 401320, CN
Inventeurs :
陈猷仁 CHEN, Yu-Jen; CN
Mandataire :
北京汇泽知识产权代理有限公司 BEIJING HUIZE INTELLECTUAL PROPERTY LAW LLC; 中国北京市 海淀区知春路6号锦秋国际大厦A座18层张瑾 ZHANG, Jin A18, Horizon International Tower No. 6, Zhichun Road, Haidian District Beijing 100088, CN
Données relatives à la priorité :
201710301666.402.05.2017CN
Titre (EN) PHOTOMASK AND MANUFACTURING METHOD FOR ACTIVE SWITCH ARRAY SUBSTRATE USING SAME
(FR) MASQUE PHOTOGRAPHIQUE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR UN SUBSTRAT DE RÉSEAU DE COMMUTATEURS ACTIFS UTILISANT CE MASQUE
(ZH) 光罩及其应用于主动开关阵列基板的制造方法
Abrégé :
(EN) A photomask and a manufacturing method for an active switch array substrate using same. The photomask (201) comprises: a light-transmitting area (220), which has a light-transmitting base material; a half light-transmitting area (210) provided on the light-transmitting base material and formed by chromium or a chromium compound; a light-shielding area (230) provided on the light-transmitting base material; and a light-reflecting material layer (212) comprising a plurality of fine lines, which is provided between the half light-transmitting area (210) and the light-shielding area (230) and formed by chromium or a chromium compound, the light transmittance of the photomask (201) being able to be adjusted according to the doping and distribution density of a low light-reflecting material, so that the light transmittance of the half light-transmitting area (210) is lower than that of the light-transmitting area (220), and higher than that of the light-shielding area (230).
(FR) La présente invention concerne un masque photographique, et un procédé de fabrication pour un substrat de réseau de commutateurs actifs utilisant ce masque. Le masque photographique (201) comprend : une zone de transmission de lumière (220) qui comporte un matériau de base de transmission de lumière ; une zone de semi-transmission de lumière (210) disposée sur le matériau de base de transmission de lumière et constituée de chrome ou d'un composé de chrome ; une zone de protection contre la lumière (230) située sur ce matériau de base de transmission de lumière ; ainsi qu'une couche de matériau de réflexion de lumière (212) comportant une pluralité de lignes fines, disposée entre la zone de semi-transmission de lumière (210) et la zone de protection contre la lumière (230), et constituée de chrome ou d'un composé de chrome, la transmittance lumineuse du masque photographique (201) pouvant être ajustée en fonction du dopage et de la densité de distribution d'un matériau de faible réflexion de lumière, de sorte que la transmittance lumineuse de la zone de semi-transmission de lumière (210) soit inférieure à celle de la zone de transmission de lumière (220), et supérieure à celle de la zone de protection contre la lumière (230).
(ZH) 一种光罩及其应用于主动开关阵列基板的制造方法,光罩(201)包括:一透光区(220),具有透光性的基材;一半透光区(210),设置于透光性的基材上,且由铬或铬化合物所形成;一遮光区(230),设置于透光性的基材上;以及多条细线反光材质层(212),设置于半透光区(210)和遮光区(230)之间,且由铬或铬化合物所形成;其中,光罩(201)的透光率依据一低反光材质的掺入及分布密度而调节,使半透光区(210)的透光率低于透光区(220)的透光率,且高于遮光区(230)的透光率。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)