Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2018200965) SONDES À FILM MINCE IMPLANTABLES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/200965 N° de la demande internationale : PCT/US2018/029811
Date de publication : 01.11.2018 Date de dépôt international : 27.04.2018
CIB :
B81C 1/00 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/30 (2006.01) ,H01L 21/304 (2006.01)
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
81
TECHNOLOGIE DES MICROSTRUCTURES
C
PROCÉDÉS OU APPAREILS SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À LA FABRICATION OU AU TRAITEMENT DE DISPOSITIFS OU DE SYSTÈMES À MICROSTRUCTURE
1
Fabrication ou traitement de dispositifs ou de systèmes dans ou sur un substrat
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304
Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
Déposants :
JIAO, Xiangbing [CN/US]; US
WANG, Yuan [CN/CN]; CN
QING, Quan [CN/US]; US
Inventeurs :
JIAO, Xiangbing; US
WANG, Yuan; CN
QING, Quan; US
Mandataire :
HANSUM, Talbot; US
WILSON, Mark, B.; US
Données relatives à la priorité :
62/490,96027.04.2017US
Titre (EN) IMPLANTABLE THIN-FILM PROBES
(FR) SONDES À FILM MINCE IMPLANTABLES
Abrégé :
(EN) Implantable thin-films have a variety of uses but due to their geometry and size, they are extremely fragile. The present disclosure presents devices and apparatuses for implantable thin-film probes capable of maintaining their thin-film structure through implantation through the use of degradable sacrificial layers to implant or deposit a thin film structure via a rigid substrate and remove the rigid substrate once the sacrificial layer has dissolved. The disclosed structures and methods are in reference to biocompatible films for use in vivo, but other environments and uses may also benefit from the disclosed structures and techniques, such as prosthetic/assistive devices, chronic deep tissue electrical stimulation, electrical field-directed cell migration for wound healing, nerve/neuron rehabilitation, etc.
(FR) La présente invention concerne des films minces implantables ayant diverses utilisations mais qui, en raison de leur géométrie et de leur taille, sont extrêmement fragiles. La présente invention présente des dispositifs et appareils pour des sondes à film mince implantables pouvant maintenir leur structure de film mince par implantation grâce à l'utilisation de couches sacrificielles dégradables pour implanter ou déposer une structure de film mince par le biais d'un substrat rigide et retirer le substrat rigide une fois que la couche sacrificielle s'est dissoute. Les structures et procédés décrits sont en référence à des films biocompatibles destinés à être utilisés in vivo, mais d'autres environnements et utilisations peuvent également tirer profit des structures et techniques décrites, tels que des dispositifs de prothèse/d'assistance, la stimulation électrique de tissu profond chronique, la migration de cellule dirigée par champ électrique pour une cicatrisation de plaie, la rééducation de nerf/neurone, etc.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)