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1. (WO2018200398) CHAMBRE DE TRAITEMENT DE PLAQUETTE SEMI-CONDUCTRICE
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N° de publication : WO/2018/200398 N° de la demande internationale : PCT/US2018/028915
Date de publication : 01.11.2018 Date de dépôt international : 23.04.2018
CIB :
B08B 3/10 (2006.01) ,H01L 21/67 (2006.01)
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
08
NETTOYAGE
B
NETTOYAGE EN GÉNÉRAL; PROTECTION CONTRE LA SALISSURE EN GÉNÉRAL
3
Nettoyage par des procédés impliquant l'utilisation ou la présence d'un liquide ou de vapeur d'eau
04
Nettoyage impliquant le contact avec un liquide
10
avec traitement supplémentaire du liquide ou de l'objet en cours de nettoyage, p.ex. par la chaleur, par l'électricité, par des vibrations
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
Déposants :
VEECO PRECISION SURFACE PROCESSING LLC [US/US]; 185 Gibraltar Road Horsham, PA 19044, US
Inventeurs :
BREINGAN, William, Gilbert; US
HOFMEISTER, Chris; US
RAPOPORT, Lev; US
TADDEI, John; US
Mandataire :
ELLIS, Edward, J.; US
LEASON, David; US
Données relatives à la priorité :
62/489,80625.04.2017US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR WAFER PROCESSING CHAMBER
(FR) CHAMBRE DE TRAITEMENT DE PLAQUETTE SEMI-CONDUCTRICE
Abrégé :
(EN) A housing of a wafer processing system includes at least one chamber exhaust outlet and at least one chemical exhaust outlet. The chamber exhaust outlet is formed in the housing for venting gas from the interior of the housing and the chemical exhaust outlet is formed in the housing for venting gas that flows along at least one of: (a) a first flow path defined between the splash shield in a raised position and the collection trays in the lowered position; and (b) a second flow path in which the gas flows through the collection chamber to the chemical exhaust outlet.
(FR) L'invention concerne un boîtier d'un système de traitement de plaquette comprenant au moins une sortie d'échappement de chambre et au moins une sortie d'échappement chimique. La sortie d'échappement de chambre est formée dans le boîtier pour évacuer le gaz de l'intérieur du boîtier et la sortie d'échappement chimique est formée dans le boîtier pour évacuer le gaz qui s'écoule le long d'au moins un trajet parmi : (a) un premier trajet d'écoulement défini entre le pare-éclaboussures dans une position élevée et les plateaux de collecte dans la position abaissée ; et (b) un second trajet d'écoulement dans lequel le gaz s'écoule à travers la chambre de collecte jusqu'à la sortie d'échappement chimique.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)