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1. (WO2018200288) FORMATION DE PHOTOMOTIF UVE ET DÉPÔT SÉLECTIF POUR MASQUE DE MOTIF NÉGATIF
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N° de publication : WO/2018/200288 N° de la demande internationale : PCT/US2018/028192
Date de publication : 01.11.2018 Date de dépôt international : 18.04.2018
CIB :
G03F 7/20 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/033 (2006.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20
Exposition; Appareillages à cet effet
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027
Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027
Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
033
comportant des couches inorganiques
Déposants :
LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway Fremont, California 94538, US
Inventeurs :
SMITH, David Charles; US
MAHOROWALA, Arpan; US
Mandataire :
AUSTIN, James E.; US
SAMPSON, Roger S.; US
VILLENEUVE, Joseph M.; US
WEAVER, Jeffrey K.; US
SCHOLZ, Christian D.; US
Données relatives à la priorité :
15/495,70124.04.2017US
Titre (EN) EUV PHOTOPATTERNING AND SELECTIVE DEPOSITION FOR NEGATIVE PATTERN MASK
(FR) FORMATION DE PHOTOMOTIF UVE ET DÉPÔT SÉLECTIF POUR MASQUE DE MOTIF NÉGATIF
Abrégé :
(EN) Process and apparatus for forming a negative patterning mask in the context of EUV patterning uses a selective deposition process to deposit a metal oxide or metal nitride thin film in a feature defined in an EUV resist to prepare a negative image for patterning. The method to produce the "negative" image does not involve an etch back step and therefore accommodates the small resist budget. The material forming the "negative" image is significantly more etch resistant than resist which eliminates the need for an additional hard mask transfer layer.
(FR) L'invention concerne un processus et un appareil de formation d'un masque de formation de motifs négatifs dans le contexte de la formation de motifs UVE, qui utilise un processus de dépôt sélectif pour déposer un film mince d'oxyde métallique ou de nitrure métallique dans une fonctionnalité définie dans une réserve UVE en vue de préparer une image négative pour la formation de motifs. Le procédé de production de l'image "négative" ne fait pas appel à une étape de gravure en retrait et, de ce fait, est adapté au faible budget de réserve. Le matériau formant l'image "négative" est nettement plus résistant à la gravure que la réserve, ce qui élimine la nécessité d'une couche de transfert de masque dur supplémentaire.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)