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1. (WO2018200213) COMMUTATEUR À TRANSISTOR
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N° de publication : WO/2018/200213 N° de la demande internationale : PCT/US2018/027312
Date de publication : 01.11.2018 Date de dépôt international : 12.04.2018
CIB :
H03K 17/16 (2006.01) ,H03K 17/687 (2006.01) ,H03K 17/74 (2006.01) ,H03K 17/06 (2006.01) ,H03K 17/693 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
K
TECHNIQUE DE L'IMPULSION
17
Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
16
Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
K
TECHNIQUE DE L'IMPULSION
17
Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
51
caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés
56
par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs
687
les dispositifs étant des transistors à effet de champ
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
K
TECHNIQUE DE L'IMPULSION
17
Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
51
caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés
74
par l'utilisation, comme éléments actifs, de diodes
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
K
TECHNIQUE DE L'IMPULSION
17
Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
06
Modifications pour assurer un état complètement conducteur
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
K
TECHNIQUE DE L'IMPULSION
17
Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
51
caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés
56
par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs
687
les dispositifs étant des transistors à effet de champ
693
Dispositifs de commutation comportant plusieurs bornes d'entrée et de sortie, p.ex. multiplexeurs, distributeurs
Déposants :
QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714, US
Inventeurs :
GOKTEPELI, Sinan; US
Mandataire :
SAUNDERS, Keith W.; US
Données relatives à la priorité :
15/582,08028.04.2017US
Titre (EN) TRANSISTOR SWITCH
(FR) COMMUTATEUR À TRANSISTOR
Abrégé :
(EN) Various aspects of this disclosure describe configuring and operating a transistor switch. Examples include a biasing circuit that contains a pair of diodes and a pair of resistors. The resistors may be placed in parallel by forward-biasing the pair of diodes. When the transistor is disabled (e.g., switch is open), gate-induced-drain-leakage (GIDL) current from the transistor, when flowing, may be split between each of the resistors to inhibit a voltage drop on the gate of the transistor, which may reduce harmonic distortion and/or increase the breakdown voltage of the transistor. The resistor values can be selected to ensure that the gate voltage of the transistor stays approximately equal to a negative bias voltage.
(FR) La présente invention concerne, selon divers aspects, la configuration et le fonctionnement d'un commutateur à transistor. Des exemples comprennent un circuit de polarisation qui contient une paire de diodes et une paire de résistances. Les résistances peuvent être placées en parallèle par polarisation directe de la paire de diodes. Quand le transistor est désactivé (par exemple, le commutateur est ouvert), un courant de fuite de drain induit par grille (GIDL) provenant du transistor, quand il s'écoule, peut être divisé entre chacune des résistances pour inhiber une chute de tension sur la grille du transistor, ceci pouvant réduire la distorsion harmonique et/ou augmenter la tension de claquage du transistor. Les valeurs de résistance peuvent être sélectionnées pour faire en sorte que la tension de grille du transistor reste approximativement égale à une tension de polarisation négative.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)