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1. (WO2018199453) COMPOSITION DE SUSPENSION POUR POLISSAGE MÉCANO-CHIMIQUE

Pub. No.:    WO/2018/199453    International Application No.:    PCT/KR2018/002206
Publication Date: Fri Nov 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Fri Feb 23 00:59:59 CET 2018
IPC: C09G 1/02
C09K 3/14
H01L 21/306
H01L 21/321
Applicants: DONGJIN SEMICHEM CO., LTD.
주식회사 동진쎄미켐
Inventors: PARK, Hyejung
박혜정
LEE, Mingun
이민건
PARK, Chang Yong
박창용
PARK, Min-Sung
박민성
JIN, Sunghoon
진성훈
LEE, Goo-Hwa
이구화
PARK, Jongdai
박종대
KIM, Jaehyun
김재현
Title: COMPOSITION DE SUSPENSION POUR POLISSAGE MÉCANO-CHIMIQUE
Abstract:
La présente invention concerne une composition de suspension pour le polissage mécano-chimique. Plus particulièrement, la présente invention concerne une composition de suspension pour le polissage mécano-chimique qui utilise un composé ayant des groupes phosphate comme régulateur de sélectivité du polissage et éventuellement en outre utilise un composé d’amine tertiaire conjointement au régulateur de sélectivité du polissage, de sorte qu’il est possible de polir, soit seul soit en combinaison un film isolant tel qu’un film de nitrure de silicium ou un film métallique tel que du tungstène contrairement à l'état de la technique, et particulièrement, pour réguler facilement son taux de polissage, réduisant ainsi une étape d’intercouche d’un élément semi-conducteur ; et un procédé de polissage d’un substrat semi-conducteur l’utilisant.