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1. (WO2018199373) INSTALLATION DE TRAITEMENT DE GAZ NOCIF UTILISANT UN PLASMA MICRO-ONDE
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N° de publication : WO/2018/199373 N° de la demande internationale : PCT/KR2017/004869
Date de publication : 01.11.2018 Date de dépôt international : 11.05.2017
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01) ,H01L 21/67 (2006.01) ,H01J 37/32 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065
Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
J
TUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37
Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
32
Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
Déposants :
주식회사 클린팩터스 CLEAN FACTORS CO., LTD. [KR/KR]; 경기도 화성시 동탄면 동탄산단6길 76 76 Dongtansandan 6-gil, Dongtan-myeon Hwaseong-si Gyeonggi-do 18487, KR
Inventeurs :
강경두 KANG, Kyoung Doo; KR
구민 KOO, Min; KR
이성룡 LEE, Sung Ryong; KR
Mandataire :
전용준 JEON, Yong Joon; KR
Données relatives à la priorité :
10-2017-005334826.04.2017KR
10-2017-005798510.05.2017KR
Titre (EN) HARMFUL GAS PROCESSING FACILITY USING MICROWAVE PLASMA
(FR) INSTALLATION DE TRAITEMENT DE GAZ NOCIF UTILISANT UN PLASMA MICRO-ONDE
(KO) 마이크로웨이브 플라즈마를 이용한 유해가스 처리설비
Abrégé :
(EN) The present invention provides a harmful gas processing facility using microwave plasma, comprising: a microwave generation unit; a microwave transmission unit for transmitting and supplying microwaves generated in the microwave generation unit; and a plasma discharge unit which is provided in a pipe through which a harmful gas discharged from a process chamber flows, and which receives the microwaves from the microwave transmission unit so as to generate a plasma discharge therein, thereby decomposing harmful materials within the harmful gas, wherein the plasma discharge unit comprises: a plasma discharge chamber having a cylindrical plasma discharge space through which the harmful gas passes; an antenna unit which is provided in the plasma discharge chamber and arranged to encompass the outside of the plasma discharge space, and which has a plurality of slots for discharging, to the plasma discharge space, a microwave introduced therein; and a shielding member provided in the inner plasma discharge chamber of the antenna unit. Therefore, an antenna unit is formed to encompass a plasma discharge space and microwaves are supplied to the plasma discharge space through a plurality of slots, such that a uniform and efficient plasma discharge is formed inside the plasma discharge space, thereby enabling processing efficiency of harmful gas to be improved and costs to be reduced so as to be economical.
(FR) La présente invention concerne une installation de traitement de gaz nocif utilisant un plasma micro-onde, comprenant : une unité de génération de micro-ondes ; une unité de transmission de micro-ondes pour transmettre et fournir des micro-ondes générées dans l'unité de génération de micro-ondes ; et une unité de décharge de plasma qui est disposée dans un tuyau à travers lequel s'écoule un gaz nocif déchargé à partir d'une chambre de traitement, et qui reçoit les micro-ondes provenant de l'unité de transmission de micro-ondes de façon à générer une décharge de plasma à l'intérieur de celle-ci, ce qui permet de décomposer des matières dangereuses à l'intérieur du gaz nocif, l'unité de décharge de plasma comprenant : une chambre de décharge de plasma ayant un espace de décharge de plasma cylindrique à travers lequel passe le gaz nocif ; une unité d'antenne qui est disposée dans la chambre de décharge de plasma et agencée pour englober l'extérieur de l'espace de décharge de plasma, et qui a une pluralité de fentes pour décharger, vers l'espace de décharge de plasma, une micro-onde introduite à l'intérieur de celle-ci ; et un élément de blindage disposé dans la chambre de décharge de plasma interne de l'unité d'antenne. Par conséquent, une unité d'antenne est formée pour englober un espace de décharge de plasma et des micro-ondes sont fournies à l'espace de décharge de plasma à travers une pluralité de fentes, de telle sorte qu'une décharge de plasma uniforme et efficace soit formée à l'intérieur de l'espace de décharge de plasma, ce qui permet d'améliorer l'efficacité de traitement de gaz nocifs et de réduire les coûts de manière à être économique.
(KO) 본 발명은 마이크로웨이브 발생유닛, 마이크로웨이브 발생유닛에서 생성된 마이크로웨이브를 전송 공급하는 마이크로웨이브 전송부 및 공정챔버로부터 배출되는 유해가스가 유동하는 배관에 설치되며, 마이크로웨이브 전송부로부터 마이크로웨이브를 공급받아 내부에서 플라즈마 방전을 발생하여 유해가스 내 유해물질을 분해하는 플라즈마 방전 유닛을 포함하되, 플라즈마 방전 유닛은 유해가스가 통과하는 원통형의 플라즈마 방전공간이 형성된 플라즈마 방전챔버와, 플라즈마 방전챔버에 설치되며 플라즈마 방전공간의 외측을 둘러싸도록 배치되고, 내부로 도입된 마이크로웨이브를 플라즈마 방전공간으로 방출시키는 복수개의 슬롯들이 형성된 안테나부와, 안테나부의 내측 플라즈마 방전챔버에 설치되는 차폐부재를 포함하는 마이크로웨이브 플라즈마를 이용한 유해가스 처리설비를 제공한다. 상기한 바에 따르면 플라즈마 방전공간을 둘러싸도록 안테나부를 형성하고, 이에 복수개의 슬롯들을 통하여 마이크로웨이브가 플라즈마 방전공간으로 공급되게 함으로써 플라즈마 방전공간 내 균일하고 효율적인 플라즈마 방전을 이루고 이를 통해 유해가스의 처리효율을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 비용을 저감시킬 수 있어 경제적이다.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)