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1. (WO2018199259) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE

Pub. No.:    WO/2018/199259    International Application No.:    PCT/JP2018/017062
Publication Date: Fri Nov 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Fri Apr 27 01:59:59 CEST 2018
IPC: H01L 21/52
B23K 1/00
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: TATSUMI, Hiroaki
巽 裕章
Title: DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE
Abstract:
Selon la présente invention, un matériau de liaison renferme des premières particules contenant un premier métal, des secondes particules contenant un second métal à point de fusion inférieur à celui du premier métal, et une résine de remplissage est fournie sur un élément semi-conducteur ou sur un élément conducteur, un espace étant formé dans la surface du matériau de liaison fourni. L'autre élément parmi l'élément conducteur et l'élément semi-conducteur est monté sur le matériau de liaison et pressé contre ce dernier dans lequel l'espace a été formé, la résine de remplissage qui a été répartie de manière inégale sur la surface du matériau de liaison est déplacée vers l'espace, et un chauffage est effectué à une température de liaison. Par conséquent, une répartition inégale de la résine de remplissage est supprimée, et l'élément semi-conducteur et l'élément conducteur peuvent être liés de manière fiable au moyen d'une structure accouplée dans laquelle les premières particules sont jointes entre elles par le biais d'un composé intermétallique contenant les premier et second métaux, ce qui permet d'obtenir un dispositif à semi-conducteurs à fiabilité de liaison élevée.