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1. (WO2018198957) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR

Pub. No.:    WO/2018/198957    International Application No.:    PCT/JP2018/016267
Publication Date: Fri Nov 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Sat Apr 21 01:59:59 CEST 2018
IPC: H01L 25/07
H01L 23/48
H01L 25/18
Applicants: ROHM CO., LTD.
ローム株式会社
Inventors: KANETAKE Yasuo
金武 康雄
OTAKE Hirotaka
大嶽 浩隆
Title: DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Abstract:
Un dispositif à semi-conducteur selon un aspect de la présente invention comprend un élément de commutation, un substrat, une couche électroconductrice de surface, des première à troisième bornes et une résine d'étanchéité. Les première à troisième bornes font saillie sur le même côté de la résine d'étanchéité le long d'une première direction, qui est perpendiculaire à la direction de l'épaisseur du substrat. Les première à troisième bornes sont espacées les unes des autres dans une seconde direction, qui est perpendiculaire à la fois à la direction de l'épaisseur et à la première direction. Parmi les première à troisième bornes, la première borne est située le plus à l'extérieur par rapport à la seconde direction. La résine d'étanchéité a une partie côté de base et une partie latérale d'extrémité distale La partie côté de base est située sur le côté élément de commutation de la première borne et de la troisième borne par rapport à la première direction, entre la première borne et la troisième borne par rapport à la seconde direction. La partie côté pointe est située sur le côté d'extrémité distale, exposée à partir de la résine d'étanchéité, des première et troisième bornes par rapport à la première direction.