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1. (WO2018198802) DISPOSITIF DE CAPTURE D'IMAGE À SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIF DE CAPTURE D'IMAGE
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N° de publication : WO/2018/198802 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/015409
Date de publication : 01.11.2018 Date de dépôt international : 12.04.2018
CIB :
H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 21/3205 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 23/522 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01) ,H04N 5/374 (2011.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
146
Structures de capteurs d'images
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3205
Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768
Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52
Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522
comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
N
TRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5
Détails des systèmes de télévision
30
Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335
utilisant des capteurs d'images à l'état solide [capteurs SSIS] 
369
architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
N
TRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5
Détails des systèmes de télévision
30
Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335
utilisant des capteurs d'images à l'état solide [capteurs SSIS] 
369
architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
374
Capteurs adressés, p.ex. capteurs MOS ou CMOS
Déposants :
パナソニックIPマネジメント株式会社 PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区城見2丁目1番61号 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207, JP
Inventeurs :
清水 祐介 SHIMIZU Yuusuke; --
小野澤 和利 ONOZAWA Kazutoshi; --
Mandataire :
鎌田 健司 KAMATA Kenji; JP
前田 浩夫 MAEDA Hiroo; JP
Données relatives à la priorité :
2017-08617625.04.2017JP
Titre (EN) SOLID-STATE IMAGE CAPTURE DEVICE AND IMAGE CAPTURE DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CAPTURE D'IMAGE À SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIF DE CAPTURE D'IMAGE
(JA) 固体撮像装置および撮像装置
Abrégé :
(EN) A solid-state image capture device (1) comprises: a first semiconductor substrate (10) including a pixel array section (12) in which a plurality of pixels are arranged in a matrix, and a first connection section (130); and a second semiconductor substrate (20) for controlling the pixel array section (12), the second semiconductor substrate (20) including a pad section (250) comprising a plurality of pad electrodes (259) for external electrical connection, and a second connection section (230). The first semiconductor substrate (10) and the second semiconductor substrate (20) are stacked one upon the other and bonded to each other. The first connection section (130) and the second connection section (230) are electrically connected to each other. The first semiconductor substrate (10) has substantially the same size as the second semiconductor substrate (20). The pad electrodes (259) are only provided in the second semiconductor substrate (20).
(FR) L'invention concerne un dispositif de capture d'image à semi-conducteurs (1) comprenant : un premier substrat semi-conducteur (10) comprenant une section de réseau de pixels (12) dans laquelle une pluralité de pixels sont agencés dans une matrice, et une première section de connexion (130) ; et un second substrat semi-conducteur (20) pour commander la section de réseau de pixels (12), le second substrat semi-conducteur (20) comprenant une section de pastille (250) comprenant une pluralité d'électrodes pastilles (259) pour une connexion électrique externe, et une seconde section de connexion (230). Le premier substrat semi-conducteur (10) et le second substrat semi-conducteur (20) sont empilés l'un sur l'autre et liés l'un à l'autre. La première section de connexion (130) et la seconde section de connexion (230) sont électriquement connectées l'une à l'autre. Le premier substrat semi-conducteur (10) a sensiblement la même taille que le second substrat semi-conducteur (20). Les électrodes pastilles (259) sont disposées uniquement dans le second substrat semi-conducteur (20).
(JA) 固体撮像装置(1)は、複数の画素が行列状に配置された画素アレイ部(12)、および、第1の接続部(130)を有する第1の半導体基板(10)と、外部と電気的に接続するための複数のパッド電極(259)からなるパッド部(250)、および、第2の接続部(230)を有し、前記画素アレイ部(12)を制御する第2の半導体基板(20)とを備え、前記第1の半導体基板(10)と前記第2の半導体基板(20)とは積層かつ接合され、前記第1の接続部(130)と前記第2の接続部(230)とは電気的に接続されており、前記第1の半導体基板(10)は、前記第2の半導体基板(20)と実質的に同じサイズであり、前記パッド電極(259)は、前記第2の半導体基板(20)のみに有する。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)