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1. (WO2018198797) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SILICIUM MONOCRISTALLIN, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE TRANCHE DE SILICIUM ÉPITAXIAL, SILICIUM MONOCRISTALLIN ET TRANCHE DE SILICIUM ÉPITAXIAL

Pub. No.:    WO/2018/198797    International Application No.:    PCT/JP2018/015381
Publication Date: Fri Nov 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Fri Apr 13 01:59:59 CEST 2018
IPC: C30B 29/06
H01L 21/20
H01L 21/205
H01L 21/324
Applicants: SUMCO CORPORATION
株式会社SUMCO
Inventors: NARUSHIMA Yasuhito
鳴嶋 康人
MAEGAWA Koichi
前川 浩一
OGAWA Fukuo
小川 福生
KAWAKAMI Yasufumi
川上 泰史
Title: PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SILICIUM MONOCRISTALLIN, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE TRANCHE DE SILICIUM ÉPITAXIAL, SILICIUM MONOCRISTALLIN ET TRANCHE DE SILICIUM ÉPITAXIAL
Abstract:
Cette invention concerne un procédé de production de silicium monocristallin comprenant l'ajout de phosphore rouge à une masse fondue de silicium de façon que la résistivité électrique du silicium monocristallin soit de 0,5 mΩ·cm ou plus mais inférieure à 0,7 mΩ·cm, et le tirage du silicium monocristallin de façon que le temps nécessaire pour que la température d'au moins une partie de la section tronc droit du silicium monocristallin atteigne une plage de températures de 570 °C ± 70 °C soit de 10 à 50 minutes.