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1. (WO2018198787) DISPOSITIF DE CAPTURE D'IMAGE À SEMI-CONDUCTEURS ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE

Pub. No.:    WO/2018/198787    International Application No.:    PCT/JP2018/015349
Publication Date: Fri Nov 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Fri Apr 13 01:59:59 CEST 2018
IPC: H04N 5/3745
Applicants: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Inventors: TAKATSUKA Takafumi
高塚 挙文
SUGIMORI Yusaku
杉森 友策
Title: DISPOSITIF DE CAPTURE D'IMAGE À SEMI-CONDUCTEURS ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE
Abstract:
La présente invention concerne un dispositif de capture d'image à semi-conducteurs et un appareil électronique qui peuvent améliorer l'efficacité avec laquelle une charge est transférée d'une unité d'accumulation de charge vers une unité de conversion de tension/charge par l'intermédiaire d'une grille de transfert. Un aspect de la présente invention concerne un dispositif de capture d'image à semi-conducteurs configuré de telle sorte que : une unité de commutation passe vers un état LG au moins une fois et passe vers un état HG au moins une fois, avant une opération de conversion A/N permettant d'acquérir un niveau de signal ; l'unité de transfert transfère la charge accumulée dans une unité d'accumulation de charge vers une unité de conversion de charge/tension au moins deux fois lorsque l'unité de commutation est passée vers l'état LG et lorsque l'unité de commutation est passée vers l'état HG ; et l'unité de conversion de charge/tension ajoute une charge transférée lorsque l'unité de commutation est passée vers l'état LG et une charge transférée lorsque l'unité de commutation est passée vers l'état HG et convertit la charge résultante en un signal de tension. La présente technologie peut être mise en œuvre sur un capteur d'image CMOS, par exemple.