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1. (WO2018198753) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS

Pub. No.:    WO/2018/198753    International Application No.:    PCT/JP2018/015058
Publication Date: Fri Nov 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Wed Apr 11 01:59:59 CEST 2018
IPC: H01S 5/02
H01L 21/301
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: YOSHIKAWA, Kenji
吉川 兼司
NEGISHI, Masato
根岸 将人
SUZUKI, Masato
鈴木 正人
YOSHINO, Tatsuro
吉野 達郎
Title: PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Abstract:
La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs (12) qui consiste : à former une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs (12) dans une première région (15) d'une surface primaire (11a) d'une tranche (11) ; à former une pluralité de parties de point de départ de clivage (20a-20g) dans une seconde région (16), différente de la première région (15), de la surface primaire (11a) ; et à utiliser une pluralité de parties de point de départ de clivage (20a-20g) en tant que points de départ pour couper la tranche (11) séquentiellement, en commençant par la partie de point de départ de clivage (20d) qui est relativement difficile à cliver parmi la pluralité de parties de point de départ de clivage (20a-20g). La formation de la pluralité de parties de point de départ de clivage (20a-20g) consiste à former une pluralité de premières rainures (20a-20g) par gravure d'une partie de la seconde région (16). Par conséquent, le rendement et l'efficacité de fabrication du dispositif à semi-conducteurs peuvent être améliorés.