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1. (WO2018198718) TRANCHE SEMICONDUCTRICE ET PROCÉDÉ POUR POLIR UNE TRANCHE SEMICONDUCTRICE

Pub. No.:    WO/2018/198718    International Application No.:    PCT/JP2018/014679
Publication Date: Fri Nov 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Sat Apr 07 01:59:59 CEST 2018
IPC: C30B 29/40
H01L 21/304
Applicants: JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
JX金属株式会社
Inventors: YOSHIDA Taku
吉田 拓
KURITA Hideki
栗田 英樹
Title: TRANCHE SEMICONDUCTRICE ET PROCÉDÉ POUR POLIR UNE TRANCHE SEMICONDUCTRICE
Abstract:
La présente invention concerne : une tranche d'InP optimisée du point de vue d'un faible décollement des bords (edge roll-off - ERO) et d'une planéité suffisamment élevée même à proximité d'un bord de tranche; et un procédé efficace de fabrication de ladite tranche d'InP. Selon la présente invention, un procédé comprenant une étape de polissage en deux étapes est utilisé, dans lequel, tout en fournissant un liquide de polissage contenant du brome à au moins une surface d'un substrat de monocristal d'InP, un polissage de première étape est effectué pendant une durée de traitement de 0,1-5 minutes sous une pression de traitement de 10-200 g/cm2 et un polissage de deuxième étape est effectué pendant une durée de traitement de 0,5-10 minutes sous une pression de traitement de 200-500 g/cm2 ou sous une pression de traitement supérieure d'au moins 50 g/cm2 à celle du polissage de première étape, une tranche d'InP présentant une valeur de décollement de tranche (ROA) de -1,0 à 1,0 µm.