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1. (WO2018198683) ÉLÉMENT DE BATTERIE SOLAIRE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE BATTERIE SOLAIRE
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N° de publication : WO/2018/198683 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/014096
Date de publication : 01.11.2018 Date de dépôt international : 02.04.2018
CIB :
H01L 31/0216 (2014.01) ,H01L 31/068 (2012.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02
Détails
0216
Revêtements
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04
adaptés comme dispositifs de conversion
06
caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
068
les barrières de potentiel étant uniquement du type homojonction PN, p.ex. cellules solaires à homojonction PN en silicium massif ou cellules solaires à homojonction PN en couches minces de silicium polycristallin
Déposants :
京セラ株式会社 KYOCERA CORPORATION [JP/JP]; 京都府京都市伏見区竹田鳥羽殿町6番地 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6128501, JP
Inventeurs :
伊藤 憲和 ITO Norikazu; JP
福地 健次 FUKUCHI Kenji; JP
Mandataire :
吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi; JP
有田 貴弘 ARITA Takahiro; JP
Données relatives à la priorité :
2017-08821027.04.2017JP
Titre (EN) SOLAR BATTERY ELEMENT AND SOLAR BATTERY ELEMENT MANUFACTURING METHOD
(FR) ÉLÉMENT DE BATTERIE SOLAIRE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE BATTERIE SOLAIRE
(JA) 太陽電池素子および太陽電池素子の製造方法
Abrégé :
(EN) A solar battery element comprising a semiconductor substrate (1) and a covering part (Pc1). The semiconductor substrate (1) has a first semiconductor region (3) and a second semiconductor region (2). The first semiconductor region (3) is a first-conductivity-type semiconductor region present on the first surface side of the semiconductor substrate (1). The second semiconductor region (2) is a semiconductor region of a second conductivity type, which is different from the first conductivity type, and is located on the second surface side of the semiconductor substrate (1), said second surface side being on the opposite side to the first surface. The covering part (Pc1) is located on the first surface side of the semiconductor substrate (1). The covering part (Pc1) has a laminated portion (Ps1) in which a plurality of layers including a passivation layer (9) and an antireflection layer (5) are present in a laminated state. In the laminated portion (Ps1), the passivation layer (9) has a region in which the thickness progressively decreases from the outer periphery part (1op) side towards the center part (1cp) side of the first surface.
(FR) L'invention concerne un élément de batterie solaire comprenant un substrat semi-conducteur (1) et une partie de recouvrement (Pc1). Le substrat semi-conducteur (1) comporte une première région semi-conductrice (3) et une seconde région semi-conductrice (2). La première région semi-conductrice (3) est une région semi-conductrice de premier type de conductivité présente sur le premier côté de surface du substrat semi-conducteur (1). La seconde région semi-conductrice (2) est une région semi-conductrice d'un second type de conductivité, qui est différente du premier type de conductivité, et est située sur le second côté de surface du substrat semi-conducteur (1), ledit second côté de surface étant sur le côté opposé à la première surface. La partie de recouvrement (Pc1) est située sur le premier côté de surface du substrat semi-conducteur (1). La partie de recouvrement (Pc1) a une partie stratifiée (Ps1) dans laquelle une pluralité de couches comprenant une couche de passivation (9) et une couche antireflet (5) sont présentes dans un état stratifié. Dans la partie stratifiée (Ps1), la couche de passivation (9) a une région dans laquelle l'épaisseur diminue progressivement depuis le coté de partie périphérie externe (1op) vers le coté de partie centrale (1cp) de la première surface.
(JA) 太陽電池素子は、半導体基板(1)と、被覆部(Pc1)と、を備えている。半導体基板(1)は、第1半導体領域(3)と、第2半導体領域(2)と、を有する。第1半導体領域(3)は、半導体基板(1)の第1面側に存在している第1導電型の半導体領域である。第2半導体領域(2)は、半導体基板(1)の第1面とは逆側の第2面側に位置している第1導電型とは異なる第2導電型の半導体領域である。被覆部(Pc1)は、半導体基板(1)の第1面側に位置している。被覆部(Pc1)は、パッシベーション層(9)と反射防止層(5)とを含む複数の層が積層された状態で存在している積層部分(Ps1)を有している。積層部分(Ps1)において、パッシベーション層(9)は、第1面の外周部(1op)側から中央部(1cp)側に近づくにつれて厚さが減少している状態にある領域を有している。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)