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1. (WO2018198575) DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR

Pub. No.:    WO/2018/198575    International Application No.:    PCT/JP2018/010274
Publication Date: Fri Nov 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Fri Mar 16 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 29/78
H01L 29/739
Applicants: DENSO CORPORATION
株式会社デンソー
Inventors: SUMITOMO Masakiyo
住友 正清
Title: DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR
Abstract:
L'invention concerne une pluralité de structures de grille en tranchée ayant des électrodes grilles (16a, 16b) formées dans un substrat semiconducteur (10) ayant une couche de dérive (11), une couche de base (12), une couche CS (13) et une couche de collecteur (22), et les électrodes grilles (16a, 16b) ayant des premières électrodes grilles (16a), auxquelles une tension de grille prédéterminée est appliquée, et des secondes électrodes grilles (16b) étant électriquement connectées à une première électrode (20). En outre, les premières électrodes grilles (16a) sont disposées de telle sorte qu'au moins des parties des premières électrodes grilles respectives sont adjacentes l'une à l'autre, et la couche CS (13) est disposée au moins entre les première et seconde électrodes grilles adjacentes (16a, 16b). Une région entre les premières électrodes grilles adjacentes (16a) a une région dans laquelle une concentration d'impuretés de premier type de conductivité est réglée de façon à être inférieure à celle de la couche CS (13) formée entre les première et seconde électrodes grilles adjacentes (16a, 16b) de telle sorte qu'un second support fourni à partir d'une seconde électrode (23) puisse facilement passer lorsqu'un courant circule.