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1. (WO2018198490) CIRCUIT INTÉGRÉ OPTOÉLECTRONIQUE ET APPAREIL INFORMATIQUE
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N° de publication : WO/2018/198490 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/005748
Date de publication : 01.11.2018 Date de dépôt international : 19.02.2018
CIB :
G02B 6/12 (2006.01) ,G02B 6/43 (2006.01) ,H01L 27/15 (2006.01) ,H01L 31/0232 (2014.01) ,H01S 5/022 (2006.01)
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
B
ÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES
6
Guides de lumière; Détails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p.ex. des moyens de couplage
10
du type guide d'ondes optiques
12
du genre à circuit intégré
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
B
ÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES
6
Guides de lumière; Détails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p.ex. des moyens de couplage
24
Couplage de guides de lumière
42
Couplage de guides de lumière avec des éléments opto-électroniques
43
Dispositions comprenant une série d'éléments opto-électroniques et d'interconnexions optiques associées
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
15
comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02
Détails
0232
Eléments ou dispositions optiques associés au dispositif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
02
Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
022
Supports; Boîtiers
Déposants :
国立研究開発法人産業技術総合研究所 NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 東京都千代田区霞が関1丁目3番1号 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008921, JP
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所 PHOTONICS ELECTRONICS TECHNOLOGY RESEARCH ASSOCIATION [JP/JP]; 東京都文京区関口1-20-10 1-20-10, Sekiguchi, Bunkyo-ku, Tokyo 1120014, JP
Inventeurs :
天野 建 AMANO Takeru; JP
乗木 暁博 NORIKI Akihiro; JP
Mandataire :
速水 進治 HAYAMI Shinji; JP
Données relatives à la priorité :
2017-08987828.04.2017JP
Titre (EN) OPTO-ELECTRONIC INTEGRATED CIRCUIT AND COMPUTING APPARATUS
(FR) CIRCUIT INTÉGRÉ OPTOÉLECTRONIQUE ET APPAREIL INFORMATIQUE
(JA) 光電子集積回路及びコンピューティング装置
Abrégé :
(EN) A circuit board (100) has a first surface (102). A semiconductor chip (200) (first semiconductor chip) is located on the first surface (102) side of the circuit board (100). An insulating layer (300) covers the first surface (102) of the circuit board (100) and the semiconductor chip (200). A conductive path (310) (first conductive path) is electrically connected to the semiconductor chip (200), and extends within the insulating layer (300). A waveguide (320) is optically coupled to the semiconductor chip (200), and extends within the insulating layer (300).
(FR) Une carte de circuit imprimé (100) a une première surface (102). Une puce semi-conductrice (200) (première puce semi-conductrice) est située sur le côté de la première surface (102) de la carte de circuit imprimé (100). Une couche isolante (300) recouvre la première surface (102) de la carte de circuit imprimé (100) et la puce semi-conductrice (200). Un chemin conducteur (310) (premier chemin conducteur) est électriquement connecté à la puce semi-conductrice (200), et s'étend à l'intérieur de la couche isolante (300). Un guide d'ondes (320) est couplé optiquement à la puce semi-conductrice (200), et s'étend à l'intérieur de la couche isolante (300).
(JA) 回路基板(100)は、第1面(102)を有している。半導体チップ(200)(第1半導体チップ)は、回路基板(100)の第1面(102)側にある。絶縁層(300)は、回路基板(100)の第1面(102)及び半導体チップ(200)を覆っている。導電性経路(310)(第1導電性経路)は、半導体チップ(200)に電気的に接続しており、絶縁層(300)内で延伸している。導波路(320)は、半導体チップ(200)に光学的に結合しており、絶縁層(300)内で延伸している。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)