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1. (WO2018198222) APPAREIL D'EXPOSITION, PROCÉDÉ D'EXPOSITION ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF
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N° de publication : WO/2018/198222 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/016524
Date de publication : 01.11.2018 Date de dépôt international : 26.04.2017
CIB :
H01L 21/027 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027
Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20
Exposition; Appareillages à cet effet
Déposants :
株式会社ニコン NIKON CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区港南二丁目15番3号 15-3, Konan 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1086290, JP
Inventeurs :
山本 篤史 YAMAMOTO, Atsushi; JP
Mandataire :
江上 達夫 EGAMI, Tatsuo; JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) EXPOSURE APPARATUS, EXPOSURE METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING DEVICE
(FR) APPAREIL D'EXPOSITION, PROCÉDÉ D'EXPOSITION ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF
(JA) 露光装置、露光方法、及び、デバイス製造方法
Abrégé :
(EN) This exposure apparatus EX is provided with: a beam optical system (12) that is capable of irradiating an object (W) with a charged particle beam (EB (AX)); first magnetic field generating apparatuses (51Z) that generate a magnetic field having a first characteristic in a space (SP) between the beam optical system (12) and the object (W); and second magnetic field generating apparatuses (52X, 52Y) that generate a magnetic field having a second characteristic in the space between the beam optical system (12) and the object (W).
(FR) Cet appareil d'exposition EX est pourvu : d'un système optique de faisceau (12) qui est capable d'irradier un objet (W) avec un faisceau de particules chargées (EB (AX)) ; de premiers appareils de génération de champ magnétique (51Z) qui génèrent un champ magnétique ayant une première caractéristique dans un espace (SP) entre le système optique de faisceau (12) et l'objet (W) ; et de seconds appareils de génération de champ magnétique (52X, 52Y) qui génèrent un champ magnétique ayant une seconde caractéristique dans l'espace entre le système optique de faisceau (12) et l'objet (W).
(JA) 露光装置EXは、荷電粒子ビーム(EB(AX))を物体(W)に照射可能なビーム光学系(12)と、ビーム光学系(12)と物体(W)との間の空間(SP)に、第1の特性を有する磁場を発生させる第1磁場発生装置(51Z)と、ビーム光学系(12)と物体(W)との間の空間に、第2の特性を有する磁場を発生させる第2磁場発生装置(52X、52Y)とを備える。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)