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1. (WO2018198193) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR

Pub. No.:    WO/2018/198193    International Application No.:    PCT/JP2017/016359
Publication Date: Fri Nov 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Wed Apr 26 01:59:59 CEST 2017
IPC: G02B 6/122
H01S 5/026
H01S 5/50
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: NAKAMURA, Naoki
中村 直幹
NAKAI, Eiji
中井 栄治
SHINOHARA, Kosuke
篠原 弘介
Title: DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
Abstract:
Un dispositif à semi-conducteur selon la présente invention comprend : un premier guide d'ondes; un deuxième guide d'ondes, qui s'étend à partir d'une extrémité du premier guide d'ondes, et qui a une largeur qui est inférieure à celle du premier guide d'ondes; et une couche de bloc courant entourant le premier guide d'ondes et le second guide d'ondes. Au niveau d'une extrémité du premier guide d'ondes, une pluralité de premières sections en saillie faisant saillie davantage vers le deuxième côté de guide d'ondes qu'une section de connexion entre le premier guide d'ondes et le deuxième guide d'ondes sont disposées sur les deux côtés du deuxième guide d'ondes, et a (0-1-1) plan n'est pas formé sur chacune des premières sections en saillie.