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1. (WO2018197919) AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE DOHERTY INVERSÉ À LARGES BANDES PASSANTES RF ET INSTANTANÉES
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N° de publication : WO/2018/197919 N° de la demande internationale : PCT/IB2017/000639
Date de publication : 01.11.2018 Date de dépôt international : 24.04.2017
CIB :
H03F 3/195 (2006.01) ,H03F 1/02 (2006.01) ,H03F 3/24 (2006.01) ,H03F 3/21 (2006.01) ,H03F 3/213 (2006.01) ,H03F 3/60 (2006.01) ,H03F 1/56 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
F
AMPLIFICATEURS
3
Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
189
Amplificateurs à haute fréquence, p.ex. amplificateurs radiofréquence
19
comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
195
dans des circuits intégrés
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
F
AMPLIFICATEURS
1
Détails des amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge, uniquement des dispositifs à semi-conducteurs ou uniquement des composants non spécifiés
02
Modifications des amplificateurs pour augmenter leur rendement, p.ex. étages classe A à pente glissante, utilisation d'une oscillation auxiliaire
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
F
AMPLIFICATEURS
3
Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
20
Amplificateurs de puissance, p.ex. amplificateurs de classe B, amplificateur de classe C
24
d'étages transmetteurs de sortie
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
F
AMPLIFICATEURS
3
Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
20
Amplificateurs de puissance, p.ex. amplificateurs de classe B, amplificateur de classe C
21
comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
F
AMPLIFICATEURS
3
Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
20
Amplificateurs de puissance, p.ex. amplificateurs de classe B, amplificateur de classe C
21
comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
213
dans des circuits intégrés
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
F
AMPLIFICATEURS
3
Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
60
Amplificateurs dans lesquels les réseaux de couplage ont des constantes réparties, p.ex. comportant des résonateurs de guides d'ondes
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
F
AMPLIFICATEURS
1
Détails des amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge, uniquement des dispositifs à semi-conducteurs ou uniquement des composants non spécifiés
56
Modifications des impédances d'entrée ou de sortie, non prévues ailleurs
Déposants :
MACOM TECHNOLOGY SOLUTIONS HOLDINGS, INC. [US/US]; 100 Chelmsford Street Lowell, MA 01851, US
Inventeurs :
CASSOU, Christian; FR
BOUISSE, Gerard; FR
Mandataire :
MORRIS, James, H.; Wolf, Greenfield & Sacks, P.C. 600 Atlantic Avenue Boston, MA 02210, US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) INVERTED DOHERTY POWER AMPLIFIER WITH LARGE RF AND INSTANTANEOUS BANDWIDTHS
(FR) AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE DOHERTY INVERSÉ À LARGES BANDES PASSANTES RF ET INSTANTANÉES
Abrégé :
(EN) Apparatus and methods for an inverted Doherty amplifier operating at gigahertz frequencies are described. RF fractional bandwidth and signal bandwidth may be increased over a conventional Doherty amplifier configuration when impedance-matching components and an impedance inverter in an output network of the inverted Doherty amplifier are designed based on characteristics of the main and peaking amplifier and asymmetry factor of the amplifier.
(FR) La présente invention concerne un appareil et des procédés pour un amplificateur Doherty inversé fonctionnant à des fréquences de l'ordre du gigahertz. Une bande passante fractionnaire RF et une bande passante de signal peuvent être augmentées sur une configuration d'amplificateur Doherty classique lorsque des composants d'adaptation d'impédance et un onduleur d'impédance dans un réseau de sortie de l'amplificateur Doherty inversé sont conçus sur la base de caractéristiques de l'amplificateur principal et de crête et du facteur d'asymétrie de l'amplificateur.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)