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1. (WO2018197918) AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE DOHERTY SYMÉTRIQUE À EFFICACITÉ AMÉLIORÉE
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N° de publication : WO/2018/197918 N° de la demande internationale : PCT/IB2017/000608
Date de publication : 01.11.2018 Date de dépôt international : 24.04.2017
CIB :
H03F 3/195 (2006.01) ,H03F 1/02 (2006.01) ,H03F 3/24 (2006.01) ,H03F 3/21 (2006.01) ,H03F 3/213 (2006.01) ,H03F 3/60 (2006.01) ,H03F 1/56 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
F
AMPLIFICATEURS
3
Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
189
Amplificateurs à haute fréquence, p.ex. amplificateurs radiofréquence
19
comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
195
dans des circuits intégrés
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
F
AMPLIFICATEURS
1
Détails des amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge, uniquement des dispositifs à semi-conducteurs ou uniquement des composants non spécifiés
02
Modifications des amplificateurs pour augmenter leur rendement, p.ex. étages classe A à pente glissante, utilisation d'une oscillation auxiliaire
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
F
AMPLIFICATEURS
3
Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
20
Amplificateurs de puissance, p.ex. amplificateurs de classe B, amplificateur de classe C
24
d'étages transmetteurs de sortie
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
F
AMPLIFICATEURS
3
Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
20
Amplificateurs de puissance, p.ex. amplificateurs de classe B, amplificateur de classe C
21
comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
F
AMPLIFICATEURS
3
Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
20
Amplificateurs de puissance, p.ex. amplificateurs de classe B, amplificateur de classe C
21
comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
213
dans des circuits intégrés
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
F
AMPLIFICATEURS
3
Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
60
Amplificateurs dans lesquels les réseaux de couplage ont des constantes réparties, p.ex. comportant des résonateurs de guides d'ondes
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
F
AMPLIFICATEURS
1
Détails des amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge, uniquement des dispositifs à semi-conducteurs ou uniquement des composants non spécifiés
56
Modifications des impédances d'entrée ou de sortie, non prévues ailleurs
Déposants :
MACOM TECHNOLOGY SOLUTIONS HOLDINGS, INC. [US/US]; 100 Chelmsford Street Lowell, MA 01851, US
Inventeurs :
BOUISSE, Gerard; FR
Mandataire :
MORRIS, James, H.; Wolf, Greenfield & Sacks, P.C. 600 Atlantic Avenue Boston, MA 02210, US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) IMPROVED EFFICIENCY, SYMMETRICAL DOHERTY POWER AMPLIFIER
(FR) AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE DOHERTY SYMÉTRIQUE À EFFICACITÉ AMÉLIORÉE
Abrégé :
(EN) Apparatus and methods for an improved-efficiency Doherty amplifier are described. The Doherty amplifier may include a two-stage peaking amplifier that transitions from an "off" state to an "on" state later and more rapidly than a single-stage peaking amplifier used in a conventional Doherty amplifier. The improved Doherty amplifier may operate at higher gain values than a conventional Doherty amplifier, with no appreciable reduction in signal bandwidth.
(FR) La présente invention concerne un appareil et des procédés pour un amplificateur Doherty à efficacité améliorée. L'amplificateur Doherty peut comprendre un amplificateur de crête à deux étages qui passe d'un état « éteint » à un état « allumé » plus tard et plus rapidement qu'un amplificateur de crête à étage unique utilisé dans un amplificateur Doherty classique. L'amplificateur Doherty amélioré peut fonctionner à des valeurs de gain supérieures à celles d'un amplificateur Doherty classique, sans réduction sensible de la largeur de bande du signal.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)