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1. (WO2018196948) BARRIÈRE INTERCOUCHE

Pub. No.:    WO/2018/196948    International Application No.:    PCT/EP2017/059633
Publication Date: Fri Nov 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Tue Apr 25 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 29/778
H01L 29/43
H01L 21/02
H01L 29/207
H01L 29/417
H01L 29/20
Applicants: SWEGAN AB
Inventors: CHEN, Jr-Tai
Title: BARRIÈRE INTERCOUCHE
Abstract:
L'invention concerne une hétérostructure pour produire un transistor à haute mobilité d'électrons (HEMT). L'hétérostructure comprend une couche tampon de GaN ayant une partie tampon de manière proximale à un substrat et une partie de canal distale à partir du substrat, une couche d'exclusion de Alx1Ga1-x1N, où 0,3 ≤ x1 ≤ 1,0, de préférence 0,5 ≤ x1 ≤1,0, idéalement 0,7 ≤ x1 ≤1,0, formée sur la couche tampon de GaN, et une couche barrière de lnyAIx2Ga1-x2-yN, où 0 ≤ y ≤ 0,25, de préférence 0,10 ≤ y ≤ 0,22, idéalement 0,15 ≤ y ≤ 0,20, et 0,70 ≤ x2 ≤1,0, de préférence 0,75 ≤ x2 ≤ 0,9, idéalement 0,80 ≤ x2 ≤ 0,85. l'hétérostructure a une intercouche de AIx3Ga1-x3N, où 0 ≤ x3 ≤ 0,5, de préférence 0 ≤ x3 ≤0,3, idéalement 0 ≤ x3 ≤ 0,1, pris en sandwich entre la couche d'exclusion et la couche barrière. L'hétérostructure présente une mobilité électronique de 2DEG de 1800 à 2300 cm2/Vs, de préférence 1900 à 2200 cm2/Vs, idéalement 2000 à 2100 cm2/Vs.