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1. (WO2018196215) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE CROISSANCE HORIZONTALE DE TRANCHE DE SILICIUM
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N° de publication : WO/2018/196215 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/095869
Date de publication : 01.11.2018 Date de dépôt international : 03.08.2017
CIB :
C30B 15/06 (2006.01) ,C30B 15/02 (2006.01) ,C30B 29/06 (2006.01) ,C30B 35/00 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
15
Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski
06
Tirage non vertical
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
15
Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski
02
en introduisant dans le matériau fondu le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29
Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
02
Eléments
06
Silicium
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
35
Appareillages non prévus ailleurs, spécialement adaptés à la croissance, à la production ou au post-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée
Déposants :
常州大学 CHANGZHOU UNIVERSITY [CN/CN]; 中国江苏省常州市 滆湖路1号 GeHu Road 1 Changzhou, Jiangsu 213164, CN
Inventeurs :
丁建宁 DING, Jianning; CN
袁宁一 YUAN, Ningyi; CN
徐嘉伟 XU, Jiawei; CN
沈达鹏 SHEN, Dapeng; CN
徐晓东 XU, Xiaodong; CN
孙涛 SUN, Tao; CN
王书博 WANG, Shubo; CN
Mandataire :
北京得信知识产权代理有限公司 BEIJING TRUSTED INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY LTD; 中国北京市 海淀区羊坊店路18号光耀东方广场S座1063室 Room 1063, Building S, Guangyaodongfang Plaza No. 18 Yangfangdian Road, Haidian District Beijing 100038, CN
Données relatives à la priorité :
201710300122.628.04.2017CN
Titre (EN) SILICON WAFER HORIZONTAL GROWTH DEVICE AND METHOD
(FR) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE CROISSANCE HORIZONTALE DE TRANCHE DE SILICIUM
(ZH) 一种硅片水平生长设备和方法
Abrégé :
(EN) A silicon wafer horizontal growth device and method, the silicon wafer horizontal growth device comprising an outer shell forming a cavity; a crucible (10), positioned in the cavity and having a melt region (1), an overflow opening (2), a first overflow surface (3), and a second overflow surface (4); a feed assembly, used for introducing silicon raw material into the melt region, and having an adjustable feed rate; a heating assembly, comprising two movable heating devices (11, 12) arranged at a certain distance on the upper and lower side of the crucible (10); a thermal insulation assembly, used for maintaining the temperature of the cavity; a gas flow assembly, comprising a jet device (15), a gas guiding graphite member (16), a quartz suction pipe (13), and a quartz cooling pipe (14), the jet device (15) being positioned above the second overflow surface (4), the gas guiding graphite member (16) being arranged at the bottom of the crucible (10), the quartz cooling pipe (14) being sleeved over the quartz suction pipe (13), and the quartz suction pipe (13) and the gas guiding graphite member (16) being interconnected; and a thermal insulation baffle plate (17), positioned above the second overflow surface (4), and used for isolating the heating assembly from the jet device (15), such that the cavity is divided into a hot and a cold temperature region.
(FR) La présente invention concerne un dispositif et un procédé de croissance horizontale de tranche de silicium, le dispositif de croissance horizontale de tranche de silicium comprenant : une coque externe formant une cavité; un creuset (10), positionné dans la cavité et ayant une zone de fusion (1), une ouverture de débordement (2), une première surface de débordement (3) et une seconde surface de débordement (4); un ensemble alimentation, servant à introduire une matière première de silicium dans la zone de fusion et ayant un débit d'alimentation réglable; un ensemble chauffage, comprenant deux dispositifs de chauffage mobiles (11, 12) disposés à une certaine distance sur les côtés supérieur et inférieur du creuset (10); un ensemble isolation thermique, servant à maintenir la température de la cavité; un ensemble écoulement de gaz, comprenant un dispositif à jet (15), un élément en graphite de guidage de gaz (16), un tuyau d'aspiration en quartz (13) et un tuyau de refroidissement en quartz (14), le dispositif à jet (15) étant positionné au-dessus de la seconde surface de débordement (4), l'élément en graphite de guidage de gaz (16) étant disposé au fond du creuset (10), le tuyau de refroidissement en quartz (14) étant emmanché sur le tuyau d'aspiration en quartz (13), et le tuyau d'aspiration en quartz (13) et l'élément en graphite de guidage de gaz (16) étant interreliés; et une plaque déflectrice d'isolation thermique (17), positionnée au-dessus de la seconde surface de débordement (4) et servant à isoler l'ensemble chauffage du dispositif à jet (15), de telle sorte que la cavité est divisée en une zone de température chaude et une zone de température froide.
(ZH) 一种硅片水平生长设备和方法,该硅片水平生长设备包括外壳,形成腔体;坩埚(10),位于所述腔体中,具有熔料区(1)、溢流口(2)、第一溢流面(3)和第二溢流面(4);入料组件,向所述熔料区加入硅原料,且加料速率可调;加热组件,包括两个可移动的加热器(11、12),以一定间距配置于所述坩埚(10)的上下两侧;保温组件,对所述腔体的温度进行保持;气体流通组件,包括射流器(15)、导气石墨件(16)、石英抽气管(13)和石英冷却管(14),其中,所述射流器(15)位于所述第二溢流面(4)上方,所述导气石墨件(16)装配于所述坩埚(10)的底部,所述石英冷却管(14)嵌套在所述石英抽气管(13)外,所述石英抽气管(13)与所述导气石墨件(16)相连;以及隔热挡板(17),位于所述第二溢流面(4)上方,将所述加热组件和所述射流器(15)相隔离,使所述腔体分为冷热两个温度区域。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)