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1. (WO2018196111) SUBSTRAT DE RÉSEAU LTPS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Pub. No.:    WO/2018/196111    International Application No.:    PCT/CN2017/087784
Publication Date: Fri Nov 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Sat Jun 10 01:59:59 CEST 2017
IPC: G02F 1/1333
G02F 1/1343
H01L 27/12
Applicants: WUHAN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
武汉华星光电技术有限公司
Inventors: YANG, Chengao
杨成奥
Title: SUBSTRAT DE RÉSEAU LTPS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract:
L'invention concerne un substrat de réseau de silicium polycristallin basse température (LTPS). Le substrat de réseau comprend un substrat (101), une couche de grille isolée (102), une couche isolante intermédiaire (103), une couche de film organique (104) et une plaque de détection de pression (105) qui sont empilées; la plaque de détection de pression (105) est formée dans la couche de film organique (104); une couche métallique est en outre formée et formée sur la couche de film organique (104); la couche métallique est soumise à un traitement de formation de motif pour former une électrode commune (106) et une ligne de détection de pression (107) qui sont isolées l'une de l'autre; la ligne de détection de pression (107) est reliée à la plaque de détection de pression (105).