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1. (WO2018196087) SUBSTRAT DE RÉSEAU, APPAREIL D'AFFICHAGE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2018/196087 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/086232
Date de publication : 01.11.2018 Date de dépôt international : 27.05.2017
CIB :
H01L 21/77 (2017.01) ,H01L 27/12 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
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Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
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Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
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Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
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Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
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le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
Déposants :
深圳市华星光电技术有限公司 SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 光明新区塘明大道9-2号 No.9-2 Tangming Rd Guangming New District Shenzhen, Guangdong 518132, CN
Inventeurs :
刘兆松 LIU, Zhaosong; CN
徐源竣 HSU, Yuan-Jun; CN
李松杉 LI, Songshan; CN
Mandataire :
深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) CHINA WISPRO INTELLECTUAL PROPERTY LLP.; 中国广东省深圳市 南山区高新区粤兴三道8号中国地质大学产学研基地中地大楼A806 Room A806, Zhongdi Building China University of Geosciences Base No.8 Yuexing 3rd Road, High-Tech Industrial Estate Nanshan District, Shenzhen, Guangdong 518057, CN
Données relatives à la priorité :
201710294119.828.04.2017CN
Titre (EN) ARRAY SUBSTRATE, DISPLAY APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) SUBSTRAT DE RÉSEAU, APPAREIL D'AFFICHAGE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 一种阵列基板、显示装置及其制作方法
Abrégé :
(EN) An array substrate, a display apparatus and a manufacturing method therefor. The array substrate comprises a base substrate (10), and a low-temperature polysilicon transistor (20) and an oxide transistor (30) located above the base substrate (10). The low-temperature polysilicon transistor (20) comprises a polysilicon layer (21) and a first insulating layer (22) arranged in a stacked manner, wherein the first insulating layer (22) comprises a silicon oxide layer (222) and a silicon nitride layer (221), with the silicon nitride layer (221) being located between the polysilicon layer (21) and the silicon oxide layer (222). The oxide transistor (30) comprises an oxide semiconductor layer (31) and a second insulating layer (32) arranged in a stacked manner, wherein the second insulating layer (32) does not contain a silicon nitride layer. The present invention effectively solves the problem of electric leakage of a low-temperature polysilicon transistor, and improves the reliability of an oxide transistor.
(FR) La présente invention concerne un substrat de réseau, un appareil d’affichage et son procédé de fabrication. Le substrat de réseau comprend un substrat de base (10), et un transistor en polysilicium basse température (20) et un transistor à oxyde (30) situé au-dessus du substrat de base (10). Le transistor en polysilicium basse température (20) comprend une couche de polysilicium (21) et une première couche d'isolation (22) agencées de manière empilée, la première couche d'isolation (22) comprenant une couche d'oxyde de silicium (222) et une couche de nitrure de silicium (221), la couche de nitrure de silicium (221) étant située entre la couche de polysilicium (21) et la couche d'oxyde de silicium (222). Le transistor à oxyde (30) comprend une couche semi-conductrice d'oxyde (31) et une seconde couche d'isolation (32) agencées de manière empilée, la seconde couche d'isolation (32) ne contenant pas de couche de nitrure de silicium. La présente invention résout efficacement le problème de fuite électrique d'un transistor en polysilicium basse température, et améliore la fiabilité d'un transistor à oxyde.
(ZH) 一种阵列基板、显示装置及其制作方法。其中,阵列基板包括衬底基板(10)和位于衬底基板(10)上方的低温多晶硅晶体管(20)和氧化物晶体管(30);低温多晶硅晶体管(20)包括层叠设置的多晶硅层(21)和第一绝缘层(22),第一绝缘层(22)包括氧化硅层(222)以及氮化硅层(221),其中氮化硅层(221)位于多晶硅层(21)和氧化硅层(222)之间;氧化物晶体管(30)包括层叠设置的氧化物半导体层(31)和第二绝缘层(32),第二绝缘层(32)不含氮化硅层。有效降低了低温多晶硅晶体管的漏电问题,同时提高氧化物晶体管的可靠性。
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Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)