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1. (WO2018195830) DISPOSITIF À EFFET DE CHAMP, PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ ET PUCE L'UTILISANT

Pub. No.:    WO/2018/195830    International Application No.:    PCT/CN2017/082062
Publication Date: Fri Nov 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Thu Apr 27 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/8238
Applicants: HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.
华为技术有限公司
Inventors: TSAI, Haocheng
蔡皓程
XU, Wanjie
徐挽杰
ZHANG, Chen-Xiong
张臣雄
Title: DISPOSITIF À EFFET DE CHAMP, PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ ET PUCE L'UTILISANT
Abstract:
L'invention concerne un dispositif à effet de champ, un procédé de fabrication associé et une puce l'utilisant. Le procédé consiste à : former une structure de grille factice (05) et une structure de broche (04) sur une plaque de base de substrat (00), la plaque de base de substrat (00) comprenant une première région (01) permettant de former un MOSFET et une seconde région (02) permettant de former un TFET ; former des parois latérales (041, 051) respectivement autour de la structure de grille factice (05) et autour de la structure de broche (04) ; exécuter un dopage ionique des zones de source et de drain (01a, 01b) du MOSFET et d'une seconde zone d'électrode du TFET ; retirer la paroi latérale (041) à l'extérieur d'une zone cible de la seconde région (02) et de la structure de broche (04), la zone cible comprenant une zone de la seconde région (02) permettant de former une grille ; exécuter un dopage ionique d'une première zone d'électrode du TFET ; et former des grilles respectivement dans la première région (01) et dans la seconde région (02). Le procédé permet de fabriquer des dispositifs à effet de champ incorporant un MOSFET et un TFET, et des puces utilisant le dispositif à effet de champ ont une bonne performance et une faible consommation d'énergie.