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1. (WO2018195703) STRUCTURE À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE STRUCTURE À SEMI-CONDUCTEURS
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N° de publication : WO/2018/195703 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/081658
Date de publication : 01.11.2018 Date de dépôt international : 24.04.2017
CIB :
H01L 33/00 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
Déposants :
苏州晶湛半导体有限公司 ENKRIS SEMICONDUCTOR, INC. [CN/CN]; 中国江苏省苏州市 苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室 Room 517-A Building NW-20, No. 99, Jinji Lake Avenue, Suzhou Industrial Park Suzhou, Jiangsu 215123, CN
Inventeurs :
向鹏 XIANG, Peng; CN
程凯 CHENG, Kai; CN
Mandataire :
北京布瑞知识产权代理有限公司 BRIGHTHEAD INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY CO., LTD.; 中国北京市 朝阳区广顺北大街5号院内32号B228 B228 No. 32, Inside the No. 5 Yard, Guangshun North Street, Chaoyang District Beijing 100102, CN
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR STRUCTURE, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR STRUCTURE
(FR) STRUCTURE À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE STRUCTURE À SEMI-CONDUCTEURS
(ZH) 一种半导体结构和制备半导体结构的方法
Abrégé :
(EN) Disclosed are a semiconductor structure, and a manufacturing method of a semiconductor structure capable of solving a problem in which an epitaxial structure cracks easily and has large warping and a high dislocation density. The semiconductor structure comprises a substrate and one or more composition modulation layers provided above the substrate. Each composition modulation layer is made of a semiconductor compound. The semiconductor compound at least comprises a first element and a second element. The first element has an atomic number less than an atomic number of the second element. In each composition modulation layer, an atom number percentage of the first element in the compound gradually decreases first and then gradually increases in an epitaxial direction of the substrate. A thickness of the gradual decrease section is greater than a thickness of the gradual increase section. The atom number percentage after the gradual increase is less than or equal to the atom number percentage before the gradual decrease.
(FR) L'invention concerne une structure à semi-conducteurs, et un procédé de fabrication d'une structure à semi-conducteurs capable de résoudre un problème dans lequel une structure épitaxiale se fissure facilement et présente un gauchissement important et une densité de dislocations élevée. La structure à semi-conducteurs comprend un substrat et une ou plusieurs couches de modulation de composition disposées au-dessus du substrat. Chaque couche de modulation de composition est constituée d'un composé semi-conducteur. Le composé semi-conducteur comprend au moins un premier élément et un second élément. Le premier élément a un nombre atomique inférieur à un numéro atomique du second élément. Dans chaque couche de modulation de composition, un pourcentage de nombre atomique du premier élément dans le composé diminue progressivement d'abord puis augmente progressivement dans une direction épitaxiale du substrat. Une épaisseur de la section de réduction progressive est supérieure à une épaisseur de la section d'augmentation progressive. Le pourcentage de nombre d'atomes après l'augmentation progressive est inférieur ou égal au pourcentage de nombre d'atomes avant la diminution progressive.
(ZH) 本发明公开了一种半导体结构和制备半导体结构的方法,解决了外延结构易龟裂、翘曲大以及位错密度大的问题。该半导体结构包括:衬底;以及设置在所述衬底上方的至少一个组成调制层;其中,每一个所述组成调制层的材料为半导体化合物,所述半导体化合物至少包括第一元素和第二元素,其中所述第一元素的原子序数小于所述第二元素的原子序数;其中,在每一个所述组成调制层中沿所述衬底的外延方向上,所述第一元素在化合物组成中的原子个数百分比先逐渐减少再逐渐增大,所述逐渐减少阶段的厚度大于逐渐增大阶段的厚度,逐渐增大后的原子个数百分比小于等于逐渐减少之前的原子个数百分比。
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)