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1. (WO2018195698) STRUCTURE DE THYRISTOR DE DIAPHRAGMENT DE CHAMP AVANCÉ ET PROCÉDÉS DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2018/195698 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/081643
Date de publication : 01.11.2018 Date de dépôt international : 24.04.2017
CIB :
H01L 29/74 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
70
Dispositifs bipolaires
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Dispositifs du type thyristor, p.ex. avec un fonctionnement par régénération à quatre zones
Déposants :
LITTELFUSE SEMICONDUCTOR (WUXI) CO., LTD. [CN/CN]; 3# Zhen FA 6 Road, Shuo Fang New District Wuxi, Jiangsu 214142, CN
Inventeurs :
SHEN, Ader; CN
ZHANG, Huan; CN
LI, Dongliang; CN
ZHOU, Jifeng; CN
Mandataire :
CCPIT PATENT AND TRADEMARK LAW OFFICE; 8th Floor, Vantone New World Plaza 2 Fuchengmenwai Street, Xicheng District Beijing 100037, CN
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) ADVANCED FIELD STOP THYRISTOR STRUCTURE AND MANUFACTURE METHODS
(FR) STRUCTURE DE THYRISTOR DE DIAPHRAGMENT DE CHAMP AVANCÉ ET PROCÉDÉS DE FABRICATION
Abrégé :
(EN) A power switching device may include a semiconductor substrate and a body region comprising an n-type dopant, the body region disposed in an inner portion of the semiconductor substrate; a first base layer disposed adjacent a first surface of the semiconductor substrate, the first p-base layer comprising a p-type dopant; a second base layer disposed adjacent a second surface of the semiconductor substrate, the second base layer comprising a p-type dopant; a first emitter region, disposed adjacent the first surface of the semiconductor substrate, the first emitter region comprising a n-type dopant; a second emitter-region, disposed adjacent the second surface of the semiconductor substrate, the second emitter-region comprising a n-type dopant; a first field stop layer arranged between the first base layer and the body region, the first field stop layer comprising a n-type dopant; and a second field stop layer arranged between the second base layer and the body region, the second field stop layer comprising a n-type dopant.
(FR) Un dispositif de commutation de puissance peut comprendre un substrat semi-conducteur et une région de corps comprenant un dopant de type n, la région de corps étant disposée dans une partie interne du substrat semi-conducteur; une première couche de base disposée adjacente à une première surface du substrat semi-conducteur, la première couche de base de type p comprenant un dopant de type p; une seconde couche de base disposée adjacente à une seconde surface du substrat semi-conducteur, la seconde couche de base comprenant un dopant de type p; une première région d'émetteur, disposée adjacente à la première surface du substrat semi-conducteur, la première région d'émetteur comprenant un dopant de type n; une seconde région d'émetteur, disposée adjacente à la seconde surface du substrat semi-conducteur, la seconde région d'émetteur comprenant un dopant de type n; une première couche de diaphragme de champ disposée entre la première couche de base et la région de corps, la première couche de diaphragme de champ comprenant un dopant de type n; et une seconde couche de diaphragme de champ disposée entre la seconde couche de base et la région de corps, la seconde couche de diaphragme de champ comprenant un dopant de type n.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)