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1. (WO2018194123) COMPOSITION DE RÉSINE SENSIBLE AU RAYONNEMENT ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF DE RÉSERVE
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N° de publication : WO/2018/194123 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/016125
Date de publication : 25.10.2018 Date de dépôt international : 19.04.2018
CIB :
G03F 7/004 (2006.01) ,C08F 220/18 (2006.01) ,G03F 7/038 (2006.01) ,G03F 7/039 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
04
Chromates
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
F
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
220
Copolymères de composés contenant un ou plusieurs radicaux aliphatiques non saturés, chaque radical ne contenant qu'une seule liaison double carbone-carbone et un seul étant terminé par un seul radical carboxyle ou un sel, anhydride, ester, amide, imide ou nitrile
02
Acides monocarboxyliques contenant moins de dix atomes de carbone; Leurs dérivés
10
Esters
12
des alcools ou des phénols monohydriques
16
des phénols ou des alcools contenant plusieurs atomes de carbone
18
avec l'acide acrylique ou l'acide méthacrylique
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
038
Composés macromoléculaires rendus insolubles ou sélectivement mouillables
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
039
Composés macromoléculaires photodégradables, p.ex. réserves positives sensibles aux électrons
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20
Exposition; Appareillages à cet effet
Déposants :
JSR株式会社 JSR CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区東新橋一丁目9番2号 9-2, Higashi-Shinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058640, JP
Inventeurs :
古市 康太 FURUICHI Kouta; JP
岡嵜 聡司 OKAZAKI Satoshi; JP
Mandataire :
天野 一規 AMANO Kazunori; JP
Données relatives à la priorité :
2017-08377120.04.2017JP
Titre (EN) RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION AND RESIST PATTERN FORMATION METHOD
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE SENSIBLE AU RAYONNEMENT ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF DE RÉSERVE
(JA) 感放射線性樹脂組成物及びレジストパターン形成方法
Abrégé :
(EN) The present invention is a radiation-sensitive resin composition containing a first polymer having structural units including an acid-dissociable group, a first compound generated by radiating radioactive rays onto a first acid that dissociates the acid-dissociable group in one minute at 110ºC, and a second compound generated by radiating radioactive rays onto a second acid that does not substantially dissociate the acid-dissociable group in one minute at 110ºC, the first compound content being at least 10% by mass of the total solid content (all non-solvent components in the composition), and the ratio Bm/Cm being at least 1.7, where Bm is the number of moles of the first compound and Cm is the number of moles of the second compound.
(FR) La présente invention concerne une composition de résine sensible au rayonnement contenant un premier polymère ayant des unités structurales comprenant un groupe dissociable par un acide, un premier composé généré par rayonnement de rayons radioactifs sur un premier acide qui dissocie le groupe dissociable par un acide en une minute à 110 °C et un second composé généré par rayonnement de rayons radioactifs sur un second acide qui ne dissocie pas sensiblement le groupe dissociable par un acide en une minute à 110 °C, la teneur en premier composé représentant au moins 10 % en masse de la teneur totale en solides (tous les composants autres que le solvant dans la composition) et le rapport Bm/Cm étant d'au moins 1,7, où Bm est le nombre de moles du premier composé et Cm est le nombre de moles du second composé.
(JA) 本発明は、酸解離性基を含む構造単位を有する第1重合体と、上記酸解離性基を110℃、1分の条件で解離させる第1酸を放射線の照射により発生する第1化合物と、上記酸解離性基を110℃、1分の条件で実質的に解離させない第2酸を放射線の照射により発生する第2化合物とを含有し、上記第1化合物の含有量が全固形分(組成物中の溶媒以外の全成分)中10質量%以上であり、上記第1化合物のモル数をB、上記第2化合物のモル数をCとした場合に、B/Cが1.7以上である感放射線性樹脂組成物である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)