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1. (WO2018186197) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE
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N° de publication : WO/2018/186197 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/011570
Date de publication : 11.10.2018 Date de dépôt international : 23.03.2018
CIB :
H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/3205 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 23/522 (2006.01) ,H01L 25/065 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
146
Structures de capteurs d'images
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3205
Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768
Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52
Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522
comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
065
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L27/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
07
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L29/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
18
les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes H01L27/-H01L51/166
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
N
TRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5
Détails des systèmes de télévision
30
Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335
utilisant des capteurs d'images à l'état solide [capteurs SSIS] 
369
architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
Déposants :
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Inventeurs :
亀嶋 隆季 KAMESHIMA, Takatoshi; JP
橋口 日出登 HASHIGUCHI, Hideto; JP
三橋 生枝 MITSUHASHI, Ikue; JP
堀越 浩 HORIKOSHI, Hiroshi; JP
庄子 礼二郎 SHOHJI, Reijiroh; JP
石田 実 ISHIDA, Minoru; JP
飯島 匡 IIJIMA, Tadashi; JP
羽根田 雅希 HANEDA, Masaki; JP
Mandataire :
亀谷 美明 KAMEYA, Yoshiaki; JP
金本 哲男 KANEMOTO, Tetsuo; JP
萩原 康司 HAGIWARA, Yasushi; JP
松本 一騎 MATSUMOTO, Kazunori; JP
Données relatives à la priorité :
2017-07480904.04.2017JP
2017-15763717.08.2017JP
Titre (EN) SOLID STATE IMAGING DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像装置、及び電子機器
Abrégé :
(EN) [Problem] To improve the performance of a solid state imaging device. [Solution] A solid state imaging device that is formed by laminating, in order, a first substrate, a second substrate, and a third substrate. The first substrate has: a first semiconductor substrate that has formed thereon a pixel unit that comprises an array of pixels; and a first multilayer wiring layer that is laminated upon the first semiconductor substrate. The second substrate has: a second semiconductor substrate that has formed thereon a circuit that has a prescribed function; and a second multilayer wiring layer that is laminated upon the second semiconductor substrate. The third substrate has: a third semiconductor substrate that has formed thereon a circuit that has a prescribed function; and a third multilayer wiring layer that is laminated upon the third semiconductor substrate. The first substrate and the second substrate are adhered to each other such that the first multilayer wiring layer and the second multilayer wiring layer face. A first connection structure that is for electrically connecting two of the first substrate, the second substrate, and the third substrate includes a via that is structured such that a conductive material is embedded in or formed as a film on inner walls of: a first through hole that exposes first wiring that is included in one of the first multilayer wiring layer, the second multilayer wiring layer, and the third multilayer wiring layer; and another through hole that exposes second wiring that is included in a multilayer wiring layer that is among the first multilayer wiring layer, the second multilayer wiring layer, and the third multilayer wiring layer and does not include the first wiring.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est d'améliorer les performances d'un dispositif d'imagerie à semi-conducteur. La solution selon l'invention porte sur un dispositif d'imagerie à semi-conducteur qui est formé par stratification, dans l'ordre, d'un premier substrat, d'un second substrat et d'un troisième substrat. Le premier substrat comprend : un premier substrat semi-conducteur sur lequel est formée une unité de pixel qui comprend une matrice de pixels; et une première couche de câblage multicouche qui est stratifiée sur le premier substrat semi-conducteur. Le second substrat comprend : un second substrat semi-conducteur sur lequel est formé un circuit qui a une fonction prescrite; et une seconde couche de câblage multicouche qui est stratifiée sur le second substrat semi-conducteur. Le troisième substrat comporte : un troisième substrat semi-conducteur sur lequel est formé un circuit qui a une fonction prescrite; et une troisième couche de câblage multicouche qui est stratifiée sur le troisième substrat semi-conducteur. Le premier substrat et le second substrat sont collés l'un à l'autre de telle sorte que la première couche de câblage multicouche et la seconde couche de câblage multicouche se font face. Une première structure de connexion qui est destinée à connecter électriquement deux du premier substrat, du second substrat et du troisième substrat comprend un trou d'interconnexion qui est structuré de telle sorte qu'un matériau conducteur est intégré ou formé sous la forme d'un film sur les parois internes de: un premier trou traversant qui expose un premier câblage qui est inclus dans l'une de la première couche de câblage multicouche, la seconde couche de câblage multicouche et la troisième couche de câblage multicouche; et un autre trou traversant qui expose un second câblage qui est inclus dans une couche de câblage multicouche qui est parmi la première couche de câblage multicouche, la seconde couche de câblage multicouche et la troisième couche de câblage multicouche et ne comprend pas le premier câblage.
(JA) 【課題】固体撮像装置の性能をより向上させる。 【解決手段】画素が配列された画素部が形成された第1半導体基板と、前記第1半導体基板上に積層された第1多層配線層と、を有する第1基板と、所定の機能を有する回路が形成された第2半導体基板と、前記第2半導体基板上に積層された第2多層配線層と、を有する第2基板と、所定の機能を有する回路が形成された第3半導体基板と、前記第3半導体基板上に積層された第3多層配線層と、を有する第3基板と、がこの順に積層されて構成され、前記第1基板と前記第2基板とは、前記第1多層配線層と前記第2多層配線層とが対向するように貼り合わされ、前記第1基板、前記第2基板、及び前記第3基板のうちのいずれか2つを電気的に接続するための第1の接続構造は、ビアを含み、前記ビアは、前記第1多層配線層、前記第2多層配線層、及び前記第3多層配線層のうちのいずれかに含まれる第1の配線を露出させるように設けられる一の貫通孔と、前記第1多層配線層、前記第2多層配線層、及び前記第3多層配線層のうちの前記第1の配線が含まれる多層配線層以外のいずれかに含まれる第2の配線を露出させるように設けられる他の貫通孔と、に導電材料が埋め込まれた構造、又はこれらの貫通孔の内壁に導電材料が成膜された構造、を有する、固体撮像装置を提供する。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)