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1. (WO2018186027) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET INSTRUMENT ÉLECTRONIQUE
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N° de publication : WO/2018/186027 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/005280
Date de publication : 11.10.2018 Date de dépôt international : 15.02.2018
CIB :
H01L 21/3205 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 21/8234 (2006.01) ,H01L 23/522 (2006.01) ,H01L 23/532 (2006.01) ,H01L 27/00 (2006.01) ,H01L 27/088 (2006.01) ,H01L 27/146 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3205
Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768
Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232
Technologie à effet de champ
8234
Technologie MIS
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52
Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522
comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52
Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522
comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
532
caractérisées par les matériaux
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
08
comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type
085
comprenant uniquement des composants à effet de champ
088
les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
146
Structures de capteurs d'images
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
N
TRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5
Détails des systèmes de télévision
30
Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335
utilisant des capteurs d'images à l'état solide [capteurs SSIS] 
369
architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
Déposants : SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION[JP/JP]; 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Inventeurs : FUJII, Nobutoshi; JP
HAGIMOTO, Yoshiya; JP
Mandataire : KAMEYA, Yoshiaki; JP
KANEMOTO, Tetsuo; JP
HAGIWARA, Yasushi; JP
MATSUMOTO, Kazunori; JP
Données relatives à la priorité :
2017-07480204.04.2017JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ELECTRONIC INSTRUMENT
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET INSTRUMENT ÉLECTRONIQUE
(JA) 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び電子機器
Abrégé :
(EN) [Problem] To enable further improvement of reliability in a semiconductor device. [Solution] Provided is a semiconductor device in which: a plurality of substrates are configured so as to be layered, each of the substrates having a semiconductor substrate on which a circuit having a prescribed function is formed and a multilayer wiring layer that is layered on the semiconductor substrate; an electrode joining structure for electrically connecting at least two substrates from among the plurality of substrates is present on a lamination surface between the two substrates, electrodes formed on the lamination surface being joined together in a directly connected state; and in at least one of the two substrates, with respect to at least one of an electrode constituting part of the electrode joining structure and a via for connecting the electrode to wiring in the multilayer wiring layer, a porous film comprising a porous material is present in at least part of a region between an electroconductive material that constitutes the electrode and the via and a side wall of a through-hole in which the electroconductive material is embedded.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de permettre une amélioration supplémentaire de la fiabilité d'un dispositif à semi-conducteurs. La solution selon l'invention porte sur un dispositif à semi-conducteurs dans lequel : de multiples substrats sont conçus de façon à être stratifiés, chacun des substrats ayant un substrat à semi-conducteur sur lequel est formé un circuit ayant une fonction prescrite et une couche de câblage multicouche qui est stratifiée sur le substrat à semi-conducteurs ; une structure de jonction d'électrode pour connecter électriquement au moins deux substrats parmi la pluralité de substrats est présente sur une surface de stratification entre les deux substrats, des électrodes formées sur la surface de stratification étant jointes ensemble dans un état directement connecté ; et dans au moins l'un des deux substrats, par rapport à une électrode constituant une partie de la structure de jonction d'électrode et/ou un trou d'interconnexion pour connecter l'électrode à un câblage dans la couche de câblage multicouche, un film poreux comprenant un matériau poreux est présent dans au moins une partie d'une région entre un matériau électroconducteur qui constitue l'électrode et le trou d'interconnexion et une paroi latérale d'un trou traversant dans lequel est incorporé le matériau électroconducteur.
(JA) 【課題】半導体装置において、信頼性をより向上させることを可能にする。 【解決手段】所定の機能を有する回路が形成された半導体基板と、前記半導体基板上に積層される多層配線層と、をそれぞれ有する複数の基板が積層されて構成され、前記複数の基板のうちの少なくとも2つの基板間の貼り合わせ面には、当該2つの基板間を電気的に接続するための構造であって、前記貼り合わせ面にそれぞれ形成される電極同士が直接接触した状態で接合している電極接合構造が存在し、前記2つの基板のうちの少なくともいずれかにおいて、前記電極接合構造を構成する電極、及び前記電極を前記多層配線層内の配線に接続するためのビアの少なくともいずれかについては、前記電極及び前記ビアを構成する導電材料と、当該導電材料が埋め込まれている貫通孔の側壁と、の間の少なくとも一部領域に、多孔質材料からなる多孔質膜が存在する、半導体装置を提供する。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)