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1. (WO2018185991) ÉLÉMENT DE STOCKAGE MAGNÉTIQUE, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/185991 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/000814
Date de publication : 11.10.2018 Date de dépôt international : 15.01.2018
CIB :
H01L 21/8239 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 29/82 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232
Technologie à effet de champ
8234
Technologie MIS
8239
Structures de mémoires
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105
comprenant des composants à effet de champ
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
82
commandés par la variation du champ magnétique appliqué au dispositif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
08
Résistances commandées par un champ magnétique
Déposants : SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION[JP/JP]; 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Inventeurs : HASE, Naoki; JP
HOSOMI, Masanori; JP
HIGO, Yutaka; JP
OHMORI, Hiroyuki; JP
UCHIDA, Hiroyuki; JP
SATO, Yo; JP
Mandataire : KAMEYA, Yoshiaki; JP
KANEMOTO, Tetsuo; JP
HAGIWARA, Yasushi; JP
MATSUMOTO, Kazunori; JP
Données relatives à la priorité :
2017-07354503.04.2017JP
Titre (EN) MAGNETIC STORAGE ELEMENT, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) ÉLÉMENT DE STOCKAGE MAGNÉTIQUE, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 磁気記憶素子、および電子機器
Abrégé :
(EN) [Problem] To provide a magnetic storage element in which a writing current is reduced while maintaining the magnetism-retaining characteristics of a storage layer; and an electronic device. [Solution] A magnetic storage element, provided with: a spin orbit layer extended in one direction; a write line electrically connected to the spin orbit layer, the write line channeling a current in the extension direction of the spin orbit layer; a tunnel junction element provided on the spin orbit layer by laminating a memory layer, an insulator layer, and a magnetization fixed layer in the stated order; and a non-magnetic layer having a film thickness of 2 nm or below, the non-magnetic layer being provided at one of the lamination positions between the spin orbit layer and the insulator layer.
(FR) Le problème selon la présente invention consiste à fournir un élément de stockage magnétique dans lequel un courant d'écriture est réduit tout en maintenant les caractéristiques de retenue de magnétisme d'une couche de stockage ; et un dispositif électronique. La solution selon la présente invention concerne un élément de stockage magnétique, comprenant : une couche spin-orbite étendue dans une direction ; une ligne d'écriture connectée électriquement à la couche spin-orbite, la ligne d'écriture canalisant un courant dans la direction d'extension de la couche spin-orbite ; un élément de jonction de tunnel disposé sur la couche spin-orbite par stratification d'une couche de mémoire, une couche isolante, et une couche fixe de magnétisation dans l'ordre indiqué ; et une couche non magnétique ayant une épaisseur de film de 2 nm ou moins, la couche non magnétique étant disposée à l'une des positions de stratification entre la couche spin-orbite et la couche isolante.
(JA) 【課題】記憶層の磁性の保持特性を維持しつつ、書き込み電流が低減した磁気記憶素子、および電子機器を提供する。 【解決手段】一方向に延伸されたスピン軌道層と、前記スピン軌道層と電気的に接続し、前記スピン軌道層の延伸方向に電流を流す書き込み線と、前記スピン軌道層の上に、記憶層、絶縁体層、および磁化固定層を順に積層することで設けられたトンネル接合素子と、前記スピン軌道層および前記絶縁体層の間のいずれかの積層位置に設けられた膜厚2nm以下の非磁性層と、を備える、磁気記憶素子。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)