Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales

1. (WO2018185967) SUBSTRAT DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES, AINSI QUE PROCÉDÉ DE FABRICATION

Pub. No.:    WO/2018/185967    International Application No.:    PCT/JP2017/041050
Publication Date: Fri Oct 12 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Thu Nov 16 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 21/336
C23C 14/08
G02F 1/1343
G02F 1/1368
G09F 9/00
G09F 9/30
H01L 21/363
H01L 27/32
H01L 29/786
H01L 51/50
H05B 33/02
H05B 33/10
H05B 33/26
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: FURUHATA Takeo
古畑 武夫
FUJINO Toshiaki
藤野 俊明
INOUE Kazunori
井上 和式
Title: SUBSTRAT DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES, AINSI QUE PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract:
Le but de la présente invention est de fournir un élément permettant d'empêcher qu'une lumière ayant une longueur d'onde nocive n'atteigne une couche active. Un substrat de transistor à couches minces comprend : une couche active (5) disposée sur un film d'isolation de grille (2), chevauchant, dans une vue en plan, une électrode de grille (3), et comprenant un oxyde semi-conducteur ; une électrode de source (4) et une électrode de drain (6), chacune étant connectée à la couche active (5) ; un film isolant protecteur (8) disposé sur une couche active (1), l'électrode de source (4) et l'électrode de drain (6) ; et une électrode de pixel (7) disposée sur un film isolant qui comprend le film d'isolation de grille (2) ou le film d'isolation de grille (2) et le film isolant protecteur (8), et au-dessus d'une couche d'absorption (1), l'électrode de pixel (7) étant connectée à l'électrode de drain (6).