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1. (WO2018185916) TRANCHE ÉPITAXIALE EN SiC, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE TRANCHE ÉPITAXIALE EN SiC, DISPOSITIF EN SiC ET APPAREIL DE CONVERSION DE PUISSANCE

Pub. No.:    WO/2018/185916    International Application No.:    PCT/JP2017/014395
Publication Date: Fri Oct 12 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Apr 07 01:59:59 CEST 2017
IPC: C30B 29/36
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: HAMANO, Kenichi
▲濱▼野 健一
OHNO, Akihito
大野 彰仁
MIZOBE, Takuma
溝部 卓真
KIMURA, Yasuhiro
木村 泰広
MITANI, Yoichiro
三谷 陽一郎
Title: TRANCHE ÉPITAXIALE EN SiC, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE TRANCHE ÉPITAXIALE EN SiC, DISPOSITIF EN SiC ET APPAREIL DE CONVERSION DE PUISSANCE
Abstract:
Un substrat en SiC (1) a un angle de décalage θ (°). Une couche épitaxiale en SiC (2) ayant une épaisseur de film Tm (µm) est formée sur le substrat en SiC (1). Des défauts triangulaires (3) sont formés sur la surface de la couche épitaxiale en SiC (2). B/A ≤ 0,5 est satisfaite, où A est la densité de défauts triangulaires, parmi les défauts triangulaires (3), ayant une longueur dans la direction de décalage du substrat de Tm/Tanθ × 0,9 ou plus, et B est la densité de défauts triangulaires ayant une longueur dans la direction de décalage du substrat qui est inférieure à Tm/Tanθ × 0,9.