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1. (WO2018184697) LASER
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N° de publication : WO/2018/184697 N° de la demande internationale : PCT/EP2017/058416
Date de publication : 11.10.2018 Date de dépôt international : 07.04.2017
CIB :
H01S 5/12 (2006.01) ,H01S 5/10 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
10
Structure ou forme du résonateur optique
12
le résonateur ayant une structure périodique, p.ex. dans des lasers à rétroaction répartie (lasers DFB)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
10
Structure ou forme du résonateur optique
Déposants :
CHEN, Xin [GB/DE]; DE (US)
HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. [CN/CN]; Huawei Administration Building Bantian Longgang District Shenzhen, Guangdong 518129, CN
Inventeurs :
CHEN, Xin; DE
Mandataire :
KREUZ, Georg; DE
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) LASER
(FR) LASER
Abrégé :
(EN) A laser having a rear reflector, a front facet spaced from the rear reflector and a laser cavity defined between the rear reflector and the front facet, the laser comprising a Bragg grating located in the cavity, wherein the length of the Bragg grating (Lg) is in the range from 40% to 60% of the distance from the rear reflector to the front of the grating and the grating strength (Kappa * Lg) is in the range from 0.6 to 1.5.
(FR) L'invention concerne un laser comprenant un réflecteur arrière, une facette avant espacée du réflecteur arrière, ainsi qu'une cavité laser définie entre le réflecteur arrière et la facette avant, ce laser comportant un réseau de Bragg situé dans la cavité, l'invention étant caractérisée en ce que la longueur du réseau de Bragg (L g ) se situe dans la plage de 40 % à 60 % de la distance allant du réflecteur arrière à l'avant du réseau et en ce que la force du réseau (Kappa * L g) se situe dans la plage de 0,6 à 1,5.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)