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1. (WO2018184279) SUBSTRAT DE TFT ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Pub. No.:    WO/2018/184279    International Application No.:    PCT/CN2017/084601
Publication Date: Fri Oct 12 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed May 17 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/84
H01L 27/12
Applicants: WUHAN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.
武汉华星光电技术有限公司
Inventors: ZHANG, Haijie
张海杰
ZHANG, Zhandong
张占东
YANG, Ling
杨玲
Title: SUBSTRAT DE TFT ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract:
L'invention concerne un substrat de TFT et son procédé de fabrication. Le procédé de fabrication d'un substrat de TFT comprend : d'abord la gravure d'une couche d'isolation de grille (40) pour former deux premiers trous d'interconnexion (41) ; la formation de deux blocs métalliques cavaliers (61) dans les deux premiers trous d'interconnexion (41) ; et la gravure d'une couche diélectrique intercouche (70) pour former deux seconds trous d'interconnexion (71) respectivement raccordés aux deux premiers trous d'interconnexion (41), dans lesquels une source (81) et un drain (82) entrent respectivement en contact avec les deux blocs métalliques cavaliers (61) par l'intermédiaire des deux seconds trous d'interconnexion (71). Le procédé de gravure en une étape classique permettant de fabriquer une structure de trou d'interconnexion dans une couche d'isolation de grille et une couche diélectrique intercouche est amélioré par la réalisation d'un procédé de gravure en deux étapes, et par conséquent l'uniformité d'une couche active peut être améliorée et la difficulté de traitement peut être réduite, le problème selon lequel la gravure s'arrête en raison d'une grande épaisseur de gravure est évité, et la qualité du produit est améliorée.